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74LVC1G80GM

产品描述Single D-type flip-flop; positive-edge trigger
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小76KB,共16页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74LVC1G80GM概述

Single D-type flip-flop; positive-edge trigger

74LVC1G80GM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明VSON, SOLCC6,.04,20
针数6
Reach Compliance Codecompli
系列LVC/LCX/Z
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1.45 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型D FLIP-FLOP
最大I(ol)0.024 A
湿度敏感等级1
位数1
功能数量1
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出极性INVERTED
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC6,.04,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
传播延迟(tpd)13 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
触发器类型POSITIVE EDGE
宽度1 mm
最小 fmax200 MHz

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74LVC1G80
Single D-type flip-flop; positive-edge trigger
Rev. 08 — 29 August 2007
Product data sheet
1. General description
The 74LVC1G80 provides a single positive-edge triggered D-type flip-flop.
Information on the data input is transferred to the Q output on the LOW-to-HIGH transition
of the clock pulse. The input pin D must be stable one set-up time prior to the
LOW-to-HIGH clock transition for predictable operation.
Inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of this
device in a mixed 3.3 V and 5 V environment.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
. The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through the device
when it is powered down.
2. Features
s
Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V
s
High noise immunity
s
Complies with JEDEC standard:
x
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)
x
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)
x
JESD8B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V)
s
±24
mA output drive (V
CC
= 3.0 V)
s
CMOS low power consumption
s
Latch-up performance exceeds 250 mA
s
Direct interface with TTL levels
s
Inputs accept voltages up to 5 V
s
Multiple package options
s
ESD protection:
x
HBM JESD22-A114E exceeds 2000 V
x
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
s
Specified from
−40 °C
to +125
°C

74LVC1G80GM相似产品对比

74LVC1G80GM 74LVC1G80 74LVC1G80GF
描述 Single D-type flip-flop; positive-edge trigger Single D-type flip-flop; positive-edge trigger Single D-type flip-flop; positive-edge trigger
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦)
零件包装代码 SON - SON
包装说明 VSON, SOLCC6,.04,20 - VSON, SOLCC6,.04,14
针数 6 - 6
Reach Compliance Code compli - compli
系列 LVC/LCX/Z - LVC/LCX/Z
JESD-30 代码 R-PDSO-N6 - S-PDSO-N6
JESD-609代码 e3 - e3
长度 1.45 mm - 1 mm
负载电容(CL) 50 pF - 50 pF
逻辑集成电路类型 D FLIP-FLOP - D FLIP-FLOP
最大I(ol) 0.024 A - 0.024 A
湿度敏感等级 1 - 1
位数 1 - 1
功能数量 1 - 1
端子数量 6 - 6
最高工作温度 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C
输出极性 INVERTED - INVERTED
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSON - VSON
封装等效代码 SOLCC6,.04,20 - SOLCC6,.04,14
封装形状 RECTANGULAR - SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法 TAPE AND REEL - TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260
电源 3.3 V - 3.3 V
传播延迟(tpd) 13 ns - 13 ns
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 0.5 mm - 0.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V - 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V - 3.3 V
表面贴装 YES - YES
技术 CMOS - CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE - AUTOMOTIVE
端子面层 Tin (Sn) - Tin (Sn)
端子形式 NO LEAD - NO LEAD
端子节距 0.5 mm - 0.35 mm
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 30
触发器类型 POSITIVE EDGE - POSITIVE EDGE
宽度 1 mm - 1 mm
最小 fmax 200 MHz - 200 MHz
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