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STD4NC50_07

产品描述N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET
文件大小199KB,共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STD4NC50_07概述

N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET

STD4NC50_07相似产品对比

STD4NC50_07 STD4NC50 STD4NC50-1
描述 N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET
厂商名称 - ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 - TO-252 TO-251
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 - 3 3
Reach Compliance Code - compli compli
雪崩能效等级(Eas) - 220 mJ 220 mJ
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 500 V 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 3.7 A 3.7 A
最大漏极电流 (ID) - 3.7 A 3.7 A
最大漏源导通电阻 - 1.5 Ω 1.5 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 - TO-252 TO-251
JESD-30 代码 - R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 - 1 1
端子数量 - 2 3
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 50 W 50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 14.8 A 14.8 A
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES NO
端子形式 - GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 - SINGLE SINGLE
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
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