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STD4NC50-1

产品描述N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小199KB,共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STD4NC50-1概述

N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET

STD4NC50-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-251
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)220 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.7 A
最大漏极电流 (ID)3.7 A
最大漏源导通电阻1.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)14.8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

STD4NC50-1相似产品对比

STD4NC50-1 STD4NC50 STD4NC50_07
描述 N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) -
零件包装代码 TO-251 TO-252 -
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code compli compli -
雪崩能效等级(Eas) 220 mJ 220 mJ -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 500 V 500 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.7 A 3.7 A -
最大漏极电流 (ID) 3.7 A 3.7 A -
最大漏源导通电阻 1.5 Ω 1.5 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-251 TO-252 -
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 2 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 14.8 A 14.8 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO YES -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING -
端子位置 SINGLE SINGLE -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -

 
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