N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | TO-251 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
雪崩能效等级(Eas) | 220 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.7 A |
最大漏极电流 (ID) | 3.7 A |
最大漏源导通电阻 | 1.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-251 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 14.8 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
STD4NC50-1 | STD4NC50 | STD4NC50_07 | |
---|---|---|---|
描述 | N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET | N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET | N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET |
厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | - |
零件包装代码 | TO-251 | TO-252 | - |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - |
针数 | 3 | 3 | - |
Reach Compliance Code | compli | compli | - |
雪崩能效等级(Eas) | 220 mJ | 220 mJ | - |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
最小漏源击穿电压 | 500 V | 500 V | - |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.7 A | 3.7 A | - |
最大漏极电流 (ID) | 3.7 A | 3.7 A | - |
最大漏源导通电阻 | 1.5 Ω | 1.5 Ω | - |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
JEDEC-95代码 | TO-251 | TO-252 | - |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 3 | 2 | - |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | - |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
最大功率耗散 (Abs) | 50 W | 50 W | - |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 14.8 A | 14.8 A | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
表面贴装 | NO | YES | - |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | - |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved