3.3 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
3.3 A, 200 V, 1.5 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | D2PAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 3.3 A |
最大漏源导通电阻 | 1.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 36 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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