Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 12.60 X 12.60 MM, DIE-1
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ABB |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | UNCASED CHIP, S-XUUC-N1 |
针数 | 1 |
Reach Compliance Code | compliant |
最大集电极电流 (IC) | 100 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE |
JESD-30 代码 | S-XUUC-N1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 1 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
5SMX86L1280 | 5SMX12L1280 | |
---|---|---|
描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 12.60 X 12.60 MM, DIE-1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, |
厂商名称 | ABB | ABB |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved