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5SMX86L1280

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 12.60 X 12.60 MM, DIE-1
产品类别晶体管   
文件大小177KB,共5页
制造商ABB
官网地址http://www.abb.com/
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5SMX86L1280概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 12.60 X 12.60 MM, DIE-1

5SMX86L1280规格参数

参数名称属性值
厂商名称ABB
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N1
针数1
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)100 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JESD-30 代码S-XUUC-N1
元件数量1
端子数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

5SMX86L1280相似产品对比

5SMX86L1280 5SMX12L1280
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 12.60 X 12.60 MM, DIE-1 Insulated Gate Bipolar Transistor,
厂商名称 ABB ABB
Reach Compliance Code compliant compliant

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