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BF821

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,300V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-23
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共2页
制造商Transys Electronics Limited
官网地址http://www.transyselectronics.com
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BF821概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,300V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-23

晶体管,BJT,PNP,300V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-23

BF821规格参数

参数名称属性值
厂商名称Transys Electronics Limited
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)50
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.31 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)60 MHz
Base Number Matches1

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Transys
Electronics
L I M I T E D
SOT-23 Formed SMD Package
BF821
BF823
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
P–N–P transistors
Marking
BF821 = 1W
BF823 = 1Y
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN m
m
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector–base voltage (open emitter)
Collector–emitter voltage (open base)
Collector–emitter voltage (R
BE
= 2,7 kW )
Collector current (peak value)
Total power dissipation up to T
amb
= 25 °C
Junction temperature
D.C. current gain
–I
C
= 25 mA; –V
CE
= 20 V
Feedback capacitance at f = 1 MHz
· I
C
= 0; –V
CE
= 30 V
Transition frequency at f = 35 MHz
–I
C
= 10 mA; –V
CE
= 10 V
BF821
–V
CB0
max. 300
–V
CE0
max. —
–V
CER
max. 300
–I
CM
max.
P
tot
max.
max.
T
j
h
FE
C
re
f
T
>
<
>
BF823
250 V
250 V
– V
mA
mW
°C
100
250
150
50
1,6
60
pF
MHz

 
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