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MMBD301TS

产品描述0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小94KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBD301TS概述

0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

MMBD301TS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MMBD301TS
SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE
VOLTAGE
FEATURES
• Low Capacitance : 1.5pF(Max)at V
R
=15V
• Very Low V
F
: 0.36V (Typ) at I
F
= 1mA
• Extremely Fast Switching Speed
• Pb free product : 99% Sn above can meet RoHS environment
substance directive request
30 Volts
POWER
200mWatts
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-523 plastic case.
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Standard packaging: 8mm tape
• Weight: approximately 0.002gram
• Marking : 301
ABSOLUTE RATINGS AND THERMAL CHARACTERISTICS
PAR AMETER
Maxi mum Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Maxi mum Forward C urrent
Power D i ssi pati on(Note 1)
Thermal Resi stance , Juncti on to Ambi ent (Note 1)
Juncti on Temperature
Storage Temperature
SYMB OL
Value
30
30
0.2
200
500
-55 to 125
-55 to 150
O
UNITS
V
V
A
mW
C/W
O
V
R
V
RRM
I
F
P
TOT
R
θ
J A
T
J
T
S T G
C
C
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
J
=25
O
C unless otherwise noted)
PAR AMETER
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage C urrent
Forward Voltage
Forward Voltage
Total C apaci tance
SYMB OL
TEST C ON D ITION S
I
R
=10uA
V
R
=25V
I
F
=1.0mA
I
F
=10mA
V
R
=15V , f=1.0MH
Z
MIN.
30
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
MAX.
-
0.2
0.45
0.6
1.5
UNITS
V
µA
V
V
pF
V
(BR)
I
R
V
F
V
F
C
T
-
-
NOTE:
1. FR-5 Board = 1.0X0.75X0.062 in.
STAD-DEC.19.2005
PAGE . 1
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