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IDT70V9199L7PF8

产品描述Dual-Port SRAM, 128KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
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文件大小174KB,共17页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V9199L7PF8概述

Dual-Port SRAM, 128KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IDT70V9199L7PF8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间18 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)83 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度1179648 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量100
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP100,.63SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.002 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 3.3V
128K x9/x8
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
Features:
IDT70V9199/099L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 6/7.5/9/12ns (max.)
– Industrial: 9ns (max.)
Low-power operation
– IDT70V9199/099L
Active: 500mW (typ.)
Standby: 1.5mW (typ.)
Flow-Through or Pipelined output mode on either port via
the
FT/PIPE
pins
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Counter enable and reset features
Full synchronous operation on both ports
– 3.5ns setup to clock and 0ns hold on all control, data, and
address inputs
– Data input, address, and control registers
– Fast 6.5ns clock to data out in the Pipelined output mode
– Self-timed write allows fast cycle time
– 10ns cycle time, 100MHz operation in Pipelined output mode
LVTTL- compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP)
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
R/W
L
OE
L
CE
0L
CE
1L
R/W
R
OE
R
CE
0R
CE
1R
1
0
0/1
1
0
0/1
FT/PIPE
L
0/1
1
0
0
1
0/1
FT/PIPE
R
I/O
0L
- I/O
8L(1)
I/O
0R
- I/O
8R(1)
I/O
Control
I/O
Control
.
A
16L
A
0L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
NOTE:
1. I/O
0X
- I/O
7X
for IDT70V9099.
A
16R
Counter/
Address
Reg.
MEMORY
ARRAY
Counter/
Address
Reg.
A
0R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
4859 drw 01
JANUARY 2006
1
©2006 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-4859/4

IDT70V9199L7PF8相似产品对比

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描述 Dual-Port SRAM, 128KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Right Angle Panel DIP Switch Application Specific SRAM, 128KX9, 7.5ns, CMOS, PQFP100 Dual-Port SRAM, 128KX8, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅 含铅 含铅 - 不含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP - - QFP
包装说明 TQFP-100 TQFP-100 - QFP, QFP100,.63SQ,20 TQFP-100
针数 100 100 - - 100
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant - compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 18 ns 15 ns - 7.5 ns 18 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE - - FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 83 MHz 100 MHz - 83 MHz 83 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 - S-PQFP-G100 S-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 - e3 e0
长度 14 mm 14 mm - - 14 mm
内存密度 1179648 bit 1048576 bit - 1179648 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM - APPLICATION SPECIFIC SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 9 8 - 9 8
湿度敏感等级 3 3 - 3 3
功能数量 1 1 - - 1
端口数量 2 2 - 2 2
端子数量 100 100 - 100 100
字数 131072 words 131072 words - 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 - 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C
组织 128KX9 128KX8 - 128KX9 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFQFP - QFP LFQFP
封装等效代码 QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20 - QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20
封装形状 SQUARE SQUARE - SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH - FLATPACK FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 - 260 240
电源 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm - - 1.6 mm
最大待机电流 0.002 A 0.002 A - 0.002 A 0.002 A
最小待机电流 3 V 3 V - 3 V 3 V
最大压摆率 0.25 mA 0.28 mA - 0.25 mA 0.25 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V - - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V - - 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES - YES YES
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) - Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm - 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD - QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 - 30 20
宽度 14 mm 14 mm - - 14 mm
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