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1N6300ARL

产品描述1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小100KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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1N6300ARL概述

1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

1N6300ARL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED , LOW IMPEDANCE
最大击穿电压168 V
最小击穿电压152 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压160 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流1 mA
Base Number Matches1

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1N6267A Series
1500 Watt MOSORB Zener
Transient Voltage Suppressors
Unidirectional and Bidirectional
GENERAL DATA IS APPLICABLE TO ALL
SERIES IN THIS GROUP
Mosorb devices are designed to protect voltage sensitive
components from high voltage, high energy transients. They have
excellent clamping capability, high surge capability, low zener
impedance and fast response time. These devices are ON
Semiconductor’s exclusive, cost-effective, highly reliable Surmetic
axial leaded package and are ideally-suited for use in communication
systems, numerical controls, process controls, medical equipment,
business machines, power supplies and many other
industrial/consumer applications, to protect CMOS, MOS and Bipolar
integrated circuits.
Specification Features:
http://onsemi.com
MOSORB ZENER TVS
6.2–250 VOLTS
1500 WATT PEAK POWER
5 WATTS STEADY STATE
Standard Voltage Range — 6.2 to 250 V
Peak Power — 1500 Watts @ 1 ms
Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current
Low Leakage < 5
µA
Above 10 V
UL Recognition
Response Time is Typically < 1 ns
PLASTIC
CASE 41A
ORDERING INFORMATION
Device
1.5KEXXXA
1.5KEXXXARL4
Package
CASE 41A
CASE 41A
Shipping
500 Units/Box
Tape and Reel
1500 Units/Reel
500 Units/Box
Tape and Reel
1500 Units/Reel
500 Units/Box
Tape and Reel
1500 Units/Reel
Mechanical Characteristics:
CASE:
Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic
FINISH:
All external surfaces are corrosion resistant and leads are
readily solderable
POLARITY:
Cathode indicated by polarity band. When operated in
zener mode, will be positive with respect to anode
MOUNTING POSITION:
Any
WAFER FAB LOCATION:
Phoenix, Arizona
ASSEMBLY/TEST LOCATION:
Guadalajara, Mexico
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Power Dissipation (1)
@ TL
25°C
Steady State Power Dissipation
@ TL
75°C, Lead Length = 3/8″
Derated above TL = 75°C
Forward Surge Current (2)
@ TA = 25°C
Operating and Storage Temperature
Range
Symbol
PPK
PD
Value
1500
5
50
IFSM
TJ, Tstg
200
– 65 to
+175
Unit
Watts
Watts
mW/°C
Amps
°C
1.5KEXXXCA
Bidirectional
1.5KEXXXCARL4
Bidirectional
1N6XXXA
1N6XXXARL
CASE 41A
CASE 41A
CASE 41A
CASE 41A
Devices listed in
bold, italic
are ON Semiconductor
Preferred
devices.
Preferred
devices are recommended
choices for future use and best overall value.
Lead temperature not less than 1/16″ from the case for 10 seconds: 230°C
NOTES: 1. Nonrepetitive current pulse per Figure 5 and derated above TA = 25°C per Figure 2.
NOTES:
2. 1/2 sine wave (or equivalent square wave), PW = 8.3 ms, duty cycle = 4 pulses per minute
maximum.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 1999
1
December, 1999 – Rev. 2
Publication Order Number:
1N6267A/D
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