IDT7132LA35J,IDT7132LA35J pdf中文资料,IDT7132LA35J引脚图,IDT7132LA35J电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7132LA35J: 产品描述Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52; 产品类别存储; 文件大小143KB，共16页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7132LA35J概述

Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52
针数	52
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e0
长度	19.1262 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	52
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm
最大待机电流	0.0015 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	19.1262 mm
Base Number Matches	1

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