214-Pin Unbuffered DDR2 SDRAM MicroDIMM Modules Low Power
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | QIMONDA |
零件包装代码 | DIMM |
包装说明 | DIMM, |
针数 | 214 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.6 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N214 |
内存密度 | 8589934592 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 214 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
组织 | 128MX64 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
HYS64T128020EML-5-B | HYS64T128020EML-3.7-B | HYS64T128020EML-3S-B | HYS64T128020EML | HYB18T1G160BFL | |
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描述 | 214-Pin Unbuffered DDR2 SDRAM MicroDIMM Modules Low Power | 214-Pin Unbuffered DDR2 SDRAM MicroDIMM Modules Low Power | 214-Pin Unbuffered DDR2 SDRAM MicroDIMM Modules Low Power | 214-Pin Unbuffered DDR2 SDRAM MicroDIMM Modules Low Power | 214-Pin Unbuffered DDR2 SDRAM MicroDIMM Modules Low Power |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | - | - |
厂商名称 | QIMONDA | QIMONDA | QIMONDA | - | - |
零件包装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | - | - |
包装说明 | DIMM, | DIMM, | DIMM, | - | - |
针数 | 214 | 214 | 214 | - | - |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | - | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - | - |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | - | - |
最长访问时间 | 0.6 ns | 0.5 ns | 0.45 ns | - | - |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | - | - |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N214 | R-XDMA-N214 | R-XDMA-N214 | - | - |
内存密度 | 8589934592 bi | 8589934592 bi | 8589934592 bi | - | - |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | - | - |
内存宽度 | 64 | 64 | 64 | - | - |
湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 | - | - |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | - | - |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | - | - |
端子数量 | 214 | 214 | 214 | - | - |
字数 | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words | - | - |
字数代码 | 128000000 | 128000000 | 128000000 | - | - |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | - |
组织 | 128MX64 | 128MX64 | 128MX64 | - | - |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | - |
封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | - | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | - |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | - |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 | - | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | - |
自我刷新 | YES | YES | YES | - | - |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | - | - |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | - | - |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | - | - |
表面贴装 | NO | NO | NO | - | - |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | - | - |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | - | - |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | - | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 | - | - |
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