HYB18L256169BFX,HYB18L256169BFX pdf中文资料,HYB18L256169BFX引脚图,HYB18L256169BFX电路-Datasheet-电子工程世界

HYB18L256169BFX: 产品描述DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM; 文件大小1MB，共47页; 制造商QIMONDA

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HYB18L256169BFX概述

DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM

HYB18L256169BFX相似产品对比

	HYB18L256169BFX	HYB18L256169BFX-7.5	HYE18L256169BFX-7.5
描述	DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM	DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM	DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM
是否Rohs认证	-	符合	符合
厂商名称	-	QIMONDA	QIMONDA
零件包装代码	-	BGA	BGA
包装说明	-	VFBGA, BGA54,9X9,32	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数	-	54	54
Reach Compliance Code	-	unknow	unknow
ECCN代码	-	EAR99	EAR99
访问模式	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	-	5.4 ns	5.4 ns
其他特性	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	-	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	-	COMMON	COMMON
交错的突发长度	-	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	-	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54
长度	-	11 mm	11 mm
内存密度	-	268435456 bi	268435456 bi
内存集成电路类型	-	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	-	16	16
湿度敏感等级	-	3	3
功能数量	-	1	1
端口数量	-	1	1
端子数量	-	54	54
字数	-	16777216 words	16777216 words
字数代码	-	16000000	16000000
工作模式	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	-	70 °C	85 °C
组织	-	16MX16	16MX16
输出特性	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	-	VFBGA	VFBGA
封装等效代码	-	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260
电源	-	1.8 V	1.8 V
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	-	8192	8192
座面最大高度	-	1 mm	1 mm
自我刷新	-	YES	YES
连续突发长度	-	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	-	0.00001 A	0.00001 A
最大压摆率	-	0.1 mA	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	-	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	-	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	-	1.8 V	1.8 V
表面贴装	-	YES	YES
技术	-	CMOS	CMOS
温度等级	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式	-	BALL	BALL
端子节距	-	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	-	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	-	40	40
宽度	-	8 mm	8 mm

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