DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | QIMONDA |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | VFBGA, BGA54,9X9,32 |
| 针数 | 54 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 |
| 长度 | 11 mm |
| 内存密度 | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 54 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 16MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.00001 A |
| 最大压摆率 | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 8 mm |
| HYB18L256169BFX-7.5 | HYB18L256169BFX | HYE18L256169BFX-7.5 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| 厂商名称 | QIMONDA | - | QIMONDA |
| 零件包装代码 | BGA | - | BGA |
| 包装说明 | VFBGA, BGA54,9X9,32 | - | VFBGA, BGA54,9X9,32 |
| 针数 | 54 | - | 54 |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | - | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5.4 ns | - | 5.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | - | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 | - | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 | - | R-PBGA-B54 |
| 长度 | 11 mm | - | 11 mm |
| 内存密度 | 268435456 bi | - | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | - | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 | - | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 | - | 3 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端口数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 54 | - | 54 |
| 字数 | 16777216 words | - | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 | - | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 85 °C |
| 组织 | 16MX16 | - | 16MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA | - | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA54,9X9,32 | - | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | - | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | - | 260 |
| 电源 | 1.8 V | - | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 | - | 8192 |
| 座面最大高度 | 1 mm | - | 1 mm |
| 自我刷新 | YES | - | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP | - | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.00001 A | - | 0.00001 A |
| 最大压摆率 | 0.1 mA | - | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | - | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | - | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子形式 | BALL | - | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | - | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | 40 |
| 宽度 | 8 mm | - | 8 mm |
WindowsCE
DSP 与 ARM 处理器
电源技术
模拟与混合信号
模拟电子
RF/无线
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
