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71T75902S75PFG

产品描述TQFP-100, Tray
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文件大小266KB,共24页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71T75902S75PFG概述

TQFP-100, Tray

71T75902S75PFG规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码TQFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
制造商包装代码PKG100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys DescriptionTQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流2.38 V
最大压摆率0.275 mA
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

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1M x 18
2.5V Synchronous ZBT™ SRAM
2.5V I/O, Burst Counter
Flow-Through Outputs
71T75902
Features
1M x 18 memory configuration
Supports high performance system speed - 100 MHz
(7.5 ns Clock-to-Data Access)
ZBT
TM
Feature - No dead cycles between write and read cycles
Internally synchronized output buffer enable eliminates the
need to control
OE
Single R/W (READ/WRITE) control pin
4-word burst capability (Interleaved or linear)
Individual byte write (BW
1
-
BW
2
control (May tie active)
Three chip enables for simple depth expansion
2.5V power supply (±5%)
2.5V (±5%) I/O Supply (V
DDQ
)
Power down controlled by ZZ input
Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 Compliant)
Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA)
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see Ordering Information
Functional Block Diagram — 1M x 18
LBO
Address A [0:19]
CE
1,
CE
2,
CE
2
R/W
CEN
ADV/LD
BWx
Input Register
DI
DO
D
Q
Control
D
Q
1M x 18 BIT
MEMORY ARRAY
Address
D
Clk
Q
Control Logic
Mux
Clock
Sel
OE
Gate
(optional)
TMS
TDI
TCK
TRST
Data I/O [0:15], I/O P[1:2]
JTAG
TDO
5319 drw 01a
1
Apr.07.20

71T75902S75PFG相似产品对比

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描述 TQFP-100, Tray PBGA-119, Tray PBGA-119, Reel TQFP-100, Tray TQFP-100, Reel PBGA-119, Tray PBGA-119, Reel PBGA-119, Tray PBGA-119, Tray
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 不符合 符合 符合 不符合
零件包装代码 TQFP PBGA PBGA TQFP TQFP PBGA PBGA PBGA PBGA
包装说明 LQFP, QFP100,.63X.87 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 LQFP, LQFP, QFP100,.63X.87 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50
针数 100 119 119 100 100 119 119 119 119
制造商包装代码 PKG100 BGG119 BGG119 PKG100 PKG100 BG119 BGG119 BGG119 BG119
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant not_compliant compliant compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 7.5 ns 8.5 ns 8.5 ns 7.5 ns 7.5 ns 8.5 ns 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
JESD-609代码 e3 e1 e1 e3 e3 e0 e1 e1 e0
长度 20 mm 22 mm 22 mm 20 mm 20 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 18 18 18 18 18 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 119 119 100 100 119 119 119 119
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C - - -40 °C -
组织 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP BGA BGA LQFP LQFP BGA BGA BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 225 260 260 225
座面最大高度 1.6 mm 2.36 mm 2.36 mm 1.6 mm 1.6 mm 2.36 mm 2.36 mm 2.36 mm 2.36 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V
最小供电电压 (Vsup) 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式 GULL WING BALL BALL GULL WING GULL WING BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD BOTTOM BOTTOM QUAD QUAD BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 20 30 30 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Samacsys Description TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM PBGA 14.0 X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH PBGA 14.0 X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM - PBGA 14.0 X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH PBGA 14.0 X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH
其他特性 FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE - FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 90 MHz 90 MHz - 100 MHz 90 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 - QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.04 A 0.04 A 0.04 A - 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A
最小待机电流 2.38 V 2.38 V 2.38 V - 2.38 V 2.38 V 2.38 V 2.38 V 2.38 V
最大压摆率 0.275 mA 0.225 mA 0.225 mA - 0.275 mA 0.225 mA 0.275 mA 0.275 mA 0.275 mA
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - - -
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