Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 71T75902S85BGG8

71T75902S85BGG8: 产品描述PBGA-119, Reel; 产品类别存储存储; 文件大小266KB，共24页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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71T75902S85BGG8概述

PBGA-119, Reel

71T75902S85BGG8规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	PBGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119
制造商包装代码	BGG119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Samacsys Description	PBGA 14.0 X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH
最长访问时间	8.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	90 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1
长度	22 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.36 mm
最大待机电流	0.04 A
最小待机电流	2.38 V
最大压摆率	0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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1M x 18

2.5V Synchronous ZBT™ SRAM

2.5V I/O, Burst Counter

Flow-Through Outputs

◆

71T75902

Features

◆

1M x 18 memory configuration

Supports high performance system speed - 100 MHz

(7.5 ns Clock-to-Data Access)

ZBT

Feature - No dead cycles between write and read cycles

Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control

Single R/W (READ/WRITE) control pin

4-word burst capability (Interleaved or linear)

Individual byte write (BW

control (May tie active)

Three chip enables for simple depth expansion

2.5V power supply (±5%)

2.5V (±5%) I/O Supply (V

DDQ

)

Power down controlled by ZZ input

Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 Compliant)

Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA)

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Green parts available, see Ordering Information

Functional Block Diagram — 1M x 18

LBO

Address A [0:19]

R/W

CEN

ADV/LD

BWx

Input Register

Control

1M x 18 BIT

MEMORY ARRAY

Address

Clk

Control Logic

Mux

Clock

Sel

Gate

(optional)

TMS

TDI

TCK

TRST

Data I/O [0:15], I/O P[1:2]

JTAG

TDO

5319 drw 01a

Apr.07.20

71T75902S85BGG8相似产品对比

	71T75902S85BGG8	71T75902S85BGG	71T75902S75PFGI	71T75902S75PFG8	71T75902S75PFG	71T75902S85BG	71T75902S75BGG8	71T75902S75BGG	71T75902S75BG
描述	PBGA-119, Reel	PBGA-119, Tray	TQFP-100, Tray	TQFP-100, Reel	TQFP-100, Tray	PBGA-119, Tray	PBGA-119, Reel	PBGA-119, Tray	PBGA-119, Tray
Brand Name	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	不符合	符合	符合	不符合
零件包装代码	PBGA	PBGA	TQFP	TQFP	TQFP	PBGA	PBGA	PBGA	PBGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	LQFP,	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119	119	100	100	100	119	119	119	119
制造商包装代码	BGG119	BGG119	PKG100	PKG100	PKG100	BG119	BGG119	BGG119	BG119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	not_compliant	compliant	compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	8.5 ns	8.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	8.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1	e1	e3	e3	e3	e0	e1	e1	e0
长度	22 mm	22 mm	20 mm	20 mm	20 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	100	100	100	119	119	119	119
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-	-40 °C	-
组织	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	LQFP	LQFP	LQFP	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	225	260	260	225
座面最大高度	2.36 mm	2.36 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	2.36 mm	2.36 mm	2.36 mm	2.36 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	BALL	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	QUAD	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	20	30	30	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Samacsys Description	PBGA 14.0 X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH	PBGA 14.0 X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH	TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM	TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM	TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM	-	PBGA 14.0 X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH	PBGA 14.0 X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH	PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	-	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	90 MHz	90 MHz	-	100 MHz	100 MHz	90 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	-	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
电源	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.04 A	0.04 A	-	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A
最小待机电流	2.38 V	2.38 V	-	2.38 V	2.38 V	2.38 V	2.38 V	2.38 V	2.38 V
最大压摆率	0.225 mA	0.225 mA	-	0.275 mA	0.275 mA	0.225 mA	0.275 mA	0.275 mA	0.275 mA
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-	-

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