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Datasheet> 器件分类 > 存储> IDT70V639S10BFG8
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IDT70V639S10BFG8

产品描述Dual-Port SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208
产品类别存储   
文件大小187KB，共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V639S10BFG8概述

Dual-Port SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208

IDT70V639S10BFG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数208
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间10 ns
JESD-30 代码S-PBGA-B208
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量208
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度15 mm
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT
STATIC RAM
x
PRELIMINARY
IDT70V639S
Features
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12/15ns (max.)
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
IDT70V639 easily expands data bus width to 36 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master,
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
Busy and Interrupt Flags
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
UB
L
LB
L
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
Fully asynchronous operation from either port
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1
– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the
128-pin TQFP package.
LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack, 208-ball fine
pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Functional Block Diagram
UB
R
LB
R
R/W
L
B
E
0
L
B
E
1
L
B
E
1
R
B
E
0
R
R/W
R
CE
0L
CE
1L
CE
0R
CE
1R
OE
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
OE
R
128K x 18
MEMORY
ARRAY
I/O
0L
- I/O
17L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
17R
A
16L
A
0L
Address
Decoder
ADDR_L
ADDR_R
Address
Decoder
A
16R
A
0R
OE
L
CE
0L
CE
1L
R/W
L
BUSY
L
SEM
L
INT
L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
OE
R
CE
0R
CE
1R
R/W
R
BUSY
R
M/S
SEM
R
INT
R
TDI
TDO
JTAG
TMS
TCK
TRST
5621 drw 01
NOTES:
1.
BUSY
is an input as a Slave (M/S=V
IL
) and an output when it is a Master (M/S=V
IH
).
2.
BUSY
and
INT
are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
JUNE 2001
DSC-5621/3
1
©2001 Integrated Device Technology, Inc.

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描述 Dual-Port SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208 Dual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208 Dual-Port SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PBGA256, BGA-256 Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, BGA-256 Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208 Dual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, CMOS, PBGA256, BGA-256 Dual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA QFP BGA QFP QFP BGA BGA
包装说明 TFBGA, TFBGA, BGA-256 BGA-256 LFQFP, TFBGA, LFQFP, LFQFP, BGA-256 BGA-256
针数 208 208 256 256 128 208 128 128 256 256
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 10 ns 12 ns 10 ns 15 ns 15 ns 15 ns 12 ns 12 ns 12 ns 12 ns
JESD-30 代码 S-PBGA-B208 S-PBGA-B208 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256 R-PQFP-G128 S-PBGA-B208 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1 e3 e1 e3 e3 e1 e1
长度 15 mm 15 mm 17 mm 17 mm 20 mm 15 mm 20 mm 20 mm 17 mm 17 mm
内存密度 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 18 18 18 18 18 18 18 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 208 208 256 256 128 208 128 128 256 256
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C
组织 128KX18 128KX18 128KX18 128KX18 128KX18 128KX18 128KX18 128KX18 128KX18 128KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA LBGA LBGA LFQFP TFBGA LFQFP LFQFP LBGA LBGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.6 mm 1.2 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.5 mm 1.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) MATTE TIN Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) MATTE TIN MATTE TIN Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL BALL BALL GULL WING BALL GULL WING GULL WING BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 1 mm 1 mm 0.5 mm 0.8 mm 0.5 mm 0.5 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM QUAD BOTTOM QUAD QUAD BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30
宽度 15 mm 15 mm 17 mm 17 mm 14 mm 15 mm 14 mm 14 mm 17 mm 17 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 - -

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