Dual-Port SRAM, 4KX16, 15ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84 |
针数 | 84 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 15 ns |
其他特性 | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J84 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 29.3116 mm |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 84 |
字数 | 4096 words |
字数代码 | 4000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 4KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC84,1.2SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.572 mm |
最大待机电流 | 0.0025 A |
最小待机电流 | 3 V |
最大压摆率 | 0.185 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 29.3116 mm |
Base Number Matches | 1 |
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