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71V2546S133BGI8

产品描述PBGA-119, Reel
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文件大小251KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V2546S133BGI8概述

PBGA-119, Reel

71V2546S133BGI8规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PBGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
制造商包装代码BG119
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys DescriptionPBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH
最长访问时间4.2 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.36 mm
最大待机电流0.045 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1

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128K x 36
3.3V Synchronous ZBT™ SRAM
2.5V I/O, Burst Counter
Pipelined Outputs
71V2546S
Features
128K x 36 memory configurations
Supports high performance system speed - 150 MHz
(3.8 ns Clock-to-Data Access)
ZBT
TM
Feature - No dead cycles between write and read
cycles
Internally synchronized output buffer enable eliminates the
need to control
OE
Single R/W (READ/WRITE) control pin
Positive clock-edge triggered address, data, and control
signal registers for fully pipelined applications
4-word burst capability (interleaved or linear)
Individual byte write (BW
1
-
BW
4
) control (May tie active)
Three chip enables for simple depth expansion
3.3V power supply (±5%), 2.5V I/O Supply (V
DDQ)
Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad
flatpack (TQFP) and 119 ball grid array (BGA)
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
LBO
Address A [0:16]
CE1,
CE,
CE2
R/W
CEN
ADV/LD
BWx
D
Clk
D
Q
Control
D
Q
128Kx36 BIT
MEMORY ARRAY
Address
Input Register
DI
DO
Q
Control Logic
Mux
Sel
D
Clk
Clock
Output Register
Q
OE
Gate
5294 drw 01a
Data I/O [0:31],
I/O P[1:4]
ZBT and ZeroBus Turnaround are trademarks of Renesas and the architecture is supported by Micron Technology and Motorola Inc.
1
Aug.12.20

71V2546S133BGI8相似产品对比

71V2546S133BGI8 71V2546S150PFG 71V2546S150BG8 71V2546S133BGI 71V2546S100BGI 71V2546S100BG 71V2546S100BG8 71V2546S150BG 71V2546S133BG
描述 PBGA-119, Reel TQFP-100, Tray PBGA-119, Reel PBGA-119, Tray PBGA-119, Tray PBGA-119, Tray PBGA-119, Reel PBGA-119, Tray PBGA-119, Tray
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 含铅 不含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 PBGA TQFP PBGA PBGA PBGA PBGA PBGA PBGA PBGA
包装说明 BGA, BGA119,7X17,50 LQFP, QFP100,.63X.87 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50
针数 119 100 119 119 119 119 119 119 119
制造商包装代码 BG119 PKG100 BG119 BG119 BG119 BG119 BG119 BG119 BG119
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 4.2 ns 3.8 ns 3.8 ns 4.2 ns 5 ns 5 ns 5 ns 3.8 ns 4.2 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 150 MHz 150 MHz 133 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 150 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
JESD-609代码 e0 e3 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 22 mm 20 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 36 36 36 36 36 36 36 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 119 100 119 119 119 119 119 119 119
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C - - -40 °C -40 °C -40 °C - - -40 °C
组织 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA LQFP BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA119,7X17,50 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 260 225 225 225 225 225 225 225
电源 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.36 mm 1.6 mm 2.36 mm 2.36 mm 2.36 mm 2.36 mm 2.36 mm 2.36 mm 2.36 mm
最大待机电流 0.045 A 0.04 A 0.04 A 0.045 A 0.045 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.31 mA 0.325 mA 0.325 mA 0.31 mA 0.26 mA 0.25 mA 0.25 mA 0.325 mA 0.3 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER COMMERCIAL COMMERCIAL OTHER OTHER OTHER COMMERCIAL COMMERCIAL OTHER
端子面层 Tin/Lead (Sn63Pb37) Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式 BALL GULL WING BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM QUAD BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 20 30 20 20 20 20 20 20 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Samacsys Description PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM - - PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH
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