Datasheet> 器件分类 > 存储> IDT70T3519S166BFG8

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IDT70T3519S166BFG8: 产品描述Multi-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA208; 产品类别存储; 文件大小390KB，共28页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT70T3519S166BFG8概述

Multi-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA208

IDT70T3519S166BFG8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	FBGA, BGA208,17X17,32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208
JESD-609代码	e1
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
端口数量	2
端子数量	208
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装等效代码	BGA208,17X17,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5,2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	2.4 V
最大压摆率	0.45 mA
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

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Features:

◆

HIGH-SPEED 2.5V

256/128/64K x 36

IDT70T3519/99/89S

SYNCHRONOUS

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

◆

True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed data access

– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz)(max.)

– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

Counter enable and repeat features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Full synchronous operation on both ports

– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timed write allows fast cycle time

◆

Interrupt and Collision Detection Flags

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output Mode

2.5V (±100mV) power supply for core

LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V

(±100mV) power supply for I/Os and control signals on

each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available at 166MHz and 133MHz

Available in a 256-pin Ball Grid Array (BGA), a 208-pin

Plastic Quad Flatpack (PQFP) and 208-pin fine pitch Ball

Grid Array (fpBGA)

Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1

Due to limited pin count JTAG is not supported on the 208-

pin PQFP package

Green parts available, see ordering information

Functional Block Diagram

FT/PIPE

1/0

0a 1a

0b 1b

0c 1c

0d 1d

1d 0d

1c 0c

1b 0b

1a 0a

1/0

FT/PIPE

R/W

1/0

B B B

WWW

2 3 3

L L R

B B

1 0

R R

1/0

Dout0-8_L

Dout9-17_L

Dout18-26_L

Dout27-35_L

Dout0-8_R

Dout9-17_R

Dout18-26_R

Dout27-35_R

1d 0d 1c 0c 1b 0b 1a 0a

0a 1a 0b 1b 0c 1c 0d 1d

0/1

FT/PIPE

0/1

abc d

d cba

256/128/64K x 36

MEMORY

ARRAY

I/O

- I/O

35L

Din_L

Din_R

I/O

- I/O

35R

CLK

17L(1)

REPEAT

ADS

CNTEN

17R(1)

CLK

Counter/

Address

Reg.

ADDR_L

ADDR_R

Counter/

Address

Reg.

REPEAT

ADS

CNTEN

TDI

TCK

TMS

TRST

0 L

CE1L

R /

INTERRUPT

COLLISION

DETECTION

LOGIC

0 R

CE1 R

JTAG

TDO

COL

INT

COL

INT

(2)

NOTES:

1. Address A

is a NC for the IDT70T3599. Also, Addresses A

and A

are NC's for the IDT70T3589.

2. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. All static inputs, i.e., PL/FTx and OPTx

and the sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.

CONTROL

LOGIC

(2)

5666 drw 01

MARCH 2014

DSC 5666/11

IDT70T3519S166BFG8相似产品对比

	IDT70T3519S166BFG8	IDT70T3599S200BCG	IDT70T3519S166BCGI	IDT70T3519S133BFGI8	IDT70T3599S133BFGI	IDT70T3599S133BFGI8
描述	Multi-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA208	Dual-Port SRAM, 128KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256	Dual-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256	Multi-Port SRAM, 256KX36, 15ns, CMOS, PBGA208	Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208	Multi-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA208
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	FBGA, BGA208,17X17,32	LBGA, BGA256,16X16,40	LBGA, BGA256,16X16,40	FBGA, BGA208,17X17,32	LFBGA, BGA208,17X17,32	FBGA, BGA208,17X17,32
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991	3A991
最长访问时间	12 ns	10 ns	12 ns	15 ns	15 ns	15 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	200 MHz	166 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256	S-PBGA-B208	S-PBGA-B208	S-PBGA-B208
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1
内存密度	9437184 bit	4718592 bi	9437184 bit	9437184 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	36	36	36	36	36	36
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3
端口数量	2	2	2	2	2	2
端子数量	208	256	256	208	208	208
字数	262144 words	131072 words	262144 words	262144 words	131072 words	131072 words
字数代码	256000	128000	256000	256000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256KX36	128KX36	256KX36	256KX36	128KX36	128KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	LBGA	LBGA	FBGA	LFBGA	FBGA
封装等效代码	BGA208,17X17,32	BGA256,16X16,40	BGA256,16X16,40	BGA208,17X17,32	BGA208,17X17,32	BGA208,17X17,32
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
电源	2.5,2.5/3.3 V	2.5,2.5/3.3 V	2.5,2.5/3.3 V	2.5,2.5/3.3 V	2.5,2.5/3.3 V	2.5,2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.015 A	0.015 A	0.02 A	0.015 A	0.02 A	0.02 A
最小待机电流	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V
最大压摆率	0.45 mA	0.525 mA	0.51 mA	0.45 mA	0.45 mA	0.45 mA
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	1 mm	1 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-

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