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1N4154-G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 25V V(RRM), Silicon, DO-35, GREEN, GLASS, MINIMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小136KB,共3页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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1N4154-G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 25V V(RRM), Silicon, DO-35, GREEN, GLASS, MINIMELF-2

1N4154-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.15 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压25 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

1N4154-G相似产品对比

1N4154-G
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 25V V(RRM), Silicon, DO-35, GREEN, GLASS, MINIMELF-2
是否Rohs认证 符合
包装说明 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknow
其他特性 HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
最大输出电流 0.15 A
封装主体材料 GLASS
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W
认证状态 Not Qualified
最大重复峰值反向电压 25 V
最大反向恢复时间 0.004 µs
表面贴装 NO
端子形式 WIRE
端子位置 AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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