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71V3577YS80PFGI8

产品描述Standard SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100
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文件大小233KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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71V3577YS80PFGI8概述

Standard SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100

71V3577YS80PFGI8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间8 ns
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e3
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
端子数量100
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.035 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.21 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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