FIFO, 64X4, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | AMD(超微) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 60 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 12 MHz |
| 周期时间 | 83.33 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.431 mm |
| 内存密度 | 256 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 字数 | 64 words |
| 字数代码 | 64 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 64X4 |
| 输出特性 | TOTEM POLE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 57C401-12J/883B | 57C4013-12J/883B | 57C402-12J/883B | 57C4023-12J/883B | 57C4033-12J/883B | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | FIFO, 64X4, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 | FIFO, 64X4, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 | FIFO, 64X5, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 | FIFO, 64X5, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 | FIFO, 64X5, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP20,.3 |
| 针数 | 16 | 16 | 18 | 18 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 60 ns | 60 ns | 60 ns | 60 ns | 60 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 12 MHz | 12 MHz | 12 MHz | 12 MHz | 12 MHz |
| 周期时间 | 83.33 ns | 83.33 ns | 83.33 ns | 83.33 ns | 83.33 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | R-GDIP-T16 | R-GDIP-T18 | R-GDIP-T18 | R-GDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 19.431 mm | 19.431 mm | 22.86 mm | 22.86 mm | 24.257 mm |
| 内存密度 | 256 bit | 256 bit | 320 bit | 320 bit | 320 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 5 | 5 | 5 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 18 | 18 | 20 |
| 字数 | 64 words | 64 words | 64 words | 64 words | 64 words |
| 字数代码 | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 64X4 | 64X4 | 64X5 | 64X5 | 64X5 |
| 输出特性 | TOTEM POLE | 3-STATE | TOTEM POLE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | NO | YES | NO | YES | YES |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP18,.3 | DIP18,.3 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 厂商名称 | AMD(超微) | - | AMD(超微) | AMD(超微) | AMD(超微) |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | - |
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