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57C4013-12J/883B

产品描述FIFO, 64X4, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
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文件大小310KB,共12页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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57C4013-12J/883B概述

FIFO, 64X4, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

57C4013-12J/883B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP16,.3
针数16
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间60 ns
最大时钟频率 (fCLK)12 MHz
周期时间83.33 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T16
JESD-609代码e0
长度19.431 mm
内存密度256 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度4
功能数量1
端子数量16
字数64 words
字数代码64
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64X4
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.08 mm
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

57C4013-12J/883B相似产品对比

57C4013-12J/883B 57C401-12J/883B 57C402-12J/883B 57C4023-12J/883B 57C4033-12J/883B
描述 FIFO, 64X4, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 FIFO, 64X4, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 FIFO, 64X5, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 FIFO, 64X5, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 FIFO, 64X5, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP20,.3
针数 16 16 18 18 20
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 60 ns 60 ns 60 ns 60 ns 60 ns
最大时钟频率 (fCLK) 12 MHz 12 MHz 12 MHz 12 MHz 12 MHz
周期时间 83.33 ns 83.33 ns 83.33 ns 83.33 ns 83.33 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16 R-GDIP-T18 R-GDIP-T18 R-GDIP-T20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 19.431 mm 19.431 mm 22.86 mm 22.86 mm 24.257 mm
内存密度 256 bit 256 bit 320 bit 320 bit 320 bit
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 4 4 5 5 5
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 16 16 18 18 20
字数 64 words 64 words 64 words 64 words 64 words
字数代码 64 64 64 64 64
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 64X4 64X4 64X5 64X5 64X5
输出特性 3-STATE TOTEM POLE TOTEM POLE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES NO NO YES YES
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP20,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大压摆率 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1
电源 5 V 5 V 5 V 5 V -
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