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1N5400G_1

产品描述3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小47KB,共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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1N5400G_1概述

3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

3 A, 50 V, 硅, 整流二极管, DO-201AD

1N5400G_1规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层MATTE 锡
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压50 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流150 A

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1N5400G
THRU
1N5408G
3.0 AMPS. Glass Passivated Rectifiers
Voltage Range
50 to 1000 Volts
Current
3.0 Amperes
Features
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability
DO-201AD
Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-
202, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
High temperature soldering guaranteed:
260℃/10 seconds/.375”,(9.5mm) lead lengths
at 5 lbs.,(2.3kg) tension
Weight: 1.2 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
1N
Symbol
1N
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current .375”(9.5mm) Lead Length
@T
A
= 75℃
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@3.0A
Maximum DC Reverse Current @ T
A
=25℃
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
=125℃
1N
1N
1N
1N
1N
5400G 5401G 5402G 5404G 5406G 5407G 5408G
Units
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
125
600
420
600
800 1000
560 700
800 1000
1.1
1.0
V
uA
uA
pF
O
5.0
100
Typical Junction Capacitance ( Note 1)
Cj
25
Typical Thermal Resistance (Note 2)
45
R
θ
JA
Operating and Storage Temperature Range
T
J
,T
STG
- 65 to + 150
Notes: 1. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 Volts D.C.
2. Mount on Cu-Pad Size 16mm x 16mm on P.C.B.
C/W
- 540 -

1N5400G_1相似产品对比

1N5400G_1 1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G
描述 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
端子数量 2 2 2 2 2
元件数量 1 1 1 1 1
端子形式 线 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 整流二极管 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
应用 GENERAL PURPOSE EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
相数 1 1 1 1 1
最大重复峰值反向电压 50 V 50 V 100 V 200 V 400 V
最大非重复峰值正向电流 150 A 125 A 125 A 125 A 125 A
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合
包装说明 - GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 O-PALF-W2 GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code - _compli _compli _compli _compli
其他特性 - HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大正向电压 (VF) - 1 V 1 V 1 V 1 V
JEDEC-95代码 - DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
湿度敏感等级 - 1 1 1 1
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 - 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - NO NO NO NO
端子面层 - Pure Tin (Sn) Pure Tin (Sn) Pure Tin (Sn) Pure Tin (Sn)
Base Number Matches - 1 1 - 1
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99
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