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HM6147HP-35

产品描述4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM
产品类别存储    存储   
文件大小296KB,共7页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM6147HP-35概述

4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM

HM6147HP-35规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP18,.3
针数18
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度4096 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.0008 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

HM6147HP-35相似产品对比

HM6147HP-35 HM6147H HM6147HLP-35 HM6147HLP-45 HM6147HLP-55 HM6147HP-45 HM6147HP-55
描述 4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM 4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM 4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM 4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM 4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM 4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM 4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 DIP - DIP DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP18,.3 - DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3
针数 18 - 18 18 18 18 18
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N - N N N N N
最长访问时间 35 ns - 35 ns 45 ns 55 ns 45 ns 55 ns
I/O 类型 SEPARATE - SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T18 - R-PDIP-T18 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0 e0 e0
长度 22 mm - 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 4096 bi - 4096 bi 4096 bi 4096 bi 4096 bi 4096 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 - 1 1 1 1 1
功能数量 1 - 1 1 1 1 1
端口数量 1 - 1 1 1 1 1
端子数量 18 - 18 18 18 18 18
字数 4096 words - 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 - 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4KX1 - 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 NO - NO NO NO NO NO
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP - DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP18,.3 - DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm - 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.0008 A - 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.0008 A 0.0008 A
最大压摆率 0.08 mA - 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO - NO NO NO NO NO
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm - 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 - 1 1 1 1 1
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