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IDT7016S25JGB

产品描述Dual-Port SRAM, 16KX9, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.95 X 0.95 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68
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文件大小159KB,共20页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT7016S25JGB概述

Dual-Port SRAM, 16KX9, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.95 X 0.95 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68

IDT7016S25JGB规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数68
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e3
长度24.2062 mm
内存密度147456 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度24.2062 mm
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED
16K X 9 DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
IDT7016S/L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
High-speed access
– Commercial:12/15/20/25/35ns (max.)
– Industrial: 20ns (max.)
– Military: 20/25/35ns (max.)
Low-power operation
– IDT7016S
Active: 750mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT7016L
Active: 750mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
IDT7016 easily expands data bus width to 18 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
Busy and Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply
Available in ceramic 68-pin PGA, 68-pin PLCC, and an 80-
pin TQFP
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
OE
L
CE
L
R/W
L
OE
R
CE
R
R/W
R
I/O
0L
- I/O
8L
I/O
Control
BUSY
L
A
13L
A
0L
(1,2)
I/O
0R
-I/O
8R
I/O
Control
BUSY
R
Address
Decoder
14
(1,2)
MEMORY
ARRAY
14
Address
Decoder
A
13R
A
0R
CE
L
OE
L
R/W
L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
R
OE
R
R/W
R
SEM
L
(2)
INT
L
NOTES:
1. In MASTER mode:
BUSY
is an output and is a push-pull driver
In SLAVE mode:
BUSY
is input.
2.
BUSY
outputs and
INT
outputs are non-tri-stated push-pull drivers.
M/S
3190 drw 01
SEM
R
(2)
INT
R
APRIL 2006
1
DSC 3190/9
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