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71V30L55TFGI

产品描述Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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71V30L55TFGI概述

Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64

71V30L55TFGI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明QFF,
针数64
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码S-PQFP-F64
JESD-609代码e3
内存密度8192 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量64
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFF
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 3.3V
1K X 8 DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
IDT71V30S/L
LEAD FINISH (SnPb) ARE IN EOL PROCESS - LAST TIME BUY EXPIRES JUNE 15, 2018
High-speed access
– Commercial: 25/35/55ns (max.)
– Industrial 35ns (max.)
Low-power operation
– IDT71V30S
Active: 375mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT71V30L
Active: 375mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
On-chip port arbitration logic
Interrupt flags for port-to-port communication
Fully asynchronous operation from either port
Battery backup operation, 2V data retention (L Only)
TTL-compatible, single 3.3V ±0.3V power supply
Industrial temperature range (-40
O
C to +85
O
C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
OE
L
CE
L
R/
W
L
OE
R
CE
R
R/
W
R
I/O
0L
- I/O
7L
I/O
Control
BUSY
L
(1)
I/O
0R
-I/O
7R
I/O
Control
BUSY
R
(1)
A
9L
A
0L
Address
Decoder
10
MEMORY
ARRAY
10
Address
Decoder
A
9R
A
0R
CE
L
OE
L
R/W
L
ARBITRATION
and
INTERRUPT
LOGIC
CE
R
OE
R
R/W
R
INT
L
(2)
INT
R
3741 drw 01
(2)
NOTES:
1. IDT71V30:
BUSY
outputs are non-tristatable push-pulls.
2.
INT
outputs are non-tristable push-pull output structure.
DECEMBER 2017
1
©2017 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 3741/13

71V30L55TFGI相似产品对比

71V30L55TFGI 71V30L25TFGI 71V30S25TFGI 71V30S25TFG
描述 Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64 Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64 Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64 Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP
包装说明 QFF, QFF, QFF, QFF, QFP64,.47SQ,20
针数 64 64 64 64
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 55 ns 25 ns 25 ns 25 ns
JESD-30 代码 S-PQFP-F64 S-PQFP-F64 S-PQFP-F64 S-PQFP-F64
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3
内存密度 8192 bit 8192 bit 8192 bit 8192 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8 8
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端子数量 64 64 64 64
字数 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -
组织 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QFF QFF QFF QFF
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
Base Number Matches 1 1 1 1

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