5962-8552510XA概述

Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28

5962-8552510XA规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.600 INCH, CERDIP-28
针数	28
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	37.211 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.0008 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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5962-8552510XA相似产品对比

	5962-8552510XA	5962-8552507XA	5962-8552511XA	5962-8552509XA	7164S35TPG	5962-8552508XA	IDT7164L25TPG	7164L35Y
描述	Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	SOJ
包装说明	0.600 INCH, CERDIP-28	0.600 INCH, CERDIP-28	0.600 INCH, CERDIP-28	0.600 INCH, CERDIP-28	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	0.600 INCH, CERDIP-28	DIP, DIP28,.3	0.300 INCH, SOJ-28
针数	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	not_compliant	_compli	not_compliant	not_compliant	unknown	not_compliant	compliant	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	EAR99	3A001.A.2.C	EAR99	EAR99
最长访问时间	55 ns	35 ns	70 ns	45 ns	35 ns	35 ns	25 ns	35 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-PDIP-T28	R-GDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e3	e0	e3	e0
长度	37.211 mm	37.211 mm	37.211 mm	37.211 mm	34.67 mm	37.211 mm	34.67 mm	17.9324 mm
内存密度	65536 bit	65536 bi	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	70 °C	125 °C	70 °C	70 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C	-	-
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	SOJ
封装等效代码	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.3	DIP28,.6	DIP28,.3	SOJ28,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	225	225	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	4.57 mm	5.08 mm	4.57 mm	3.556 mm
最大待机电流	0.0008 A	0.02 A	0.0008 A	0.0008 A	0.015 A	0.0002 A	0.00006 A	0.00006 A
最大压摆率	0.125 mA	0.16 mA	0.09 mA	0.13 mA	0.15 mA	0.14 mA	0.15 mA	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	20	20	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30
宽度	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	7.62 mm	15.24 mm	7.62 mm	7.5184 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	-	含铅	不含铅	-
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
端口数量	1	1	1	1	-	1	1	-
可输出	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES	-
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	-	38535Q/M;38534H;883B	-	-
最小待机电流	2 V	-	2 V	2 V	4.5 V	2 V	2 V	2 V

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