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IDT70T3319S133BCG

产品描述Dual-Port SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, CBGA256, 17 X 17 MM X 1.4 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256
产品类别存储   
文件大小304KB,共28页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT70T3319S133BCG概述

Dual-Port SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, CBGA256, 17 X 17 MM X 1.4 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256

IDT70T3319S133BCG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA256,16X16,40
针数256
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间4.2 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CBGA-B256
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量256
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码LBGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5,2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.7 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流2.4 V
最大压摆率0.37 mA
最大供电电压 (Vsup)2.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度17 mm
Base Number Matches1

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Features:
HIGH-SPEED 2.5V
512/256/128K X 18
IDT70T3339/19/99S
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed data access
– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz)(max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Interrupt and Collision Detection Flags
Full synchronous operation on both ports
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output Mode
2.5V (±100mV) power supply for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 166MHz and 133MHz
Available in a 256-pin Ball Grid Array (BGA), a 144-pin Thin
Quad Flatpack (TQFP) and 208-pin fine pitch Ball Grid Array
(fpBGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Due to limited pin count JTAG, Collision Detection and
Interrupt are not supported on the 144-pin TQFP package
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
UB
L
LB
L
UB
R
LB
R
FT/PIPE
L
1/0
0a 1a
a
0b 1b
b
1b 0b
b
1a 0a
a
1/0
FT/PIPE
R
R/W
L
CE
0L
CE
1L
1
0
1/0
B B
WW
0 1
L L
B B
WW
1 0
R R
1
0
1/0
R/W
R
CE
0R
CE
1R
OE
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
OE
R
1b 0b 1a 0a
FT/PIPE
L
0/1
0a 1a 0b
1b
,
0/1
FT/PIPE
R
ab
512/256/128K x 18
MEMORY
ARRAY
ba
I/O
0L
- I/O
17L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
17R
CLK
L
A
18L
(1)
A
0L
REPEAT
L
ADS
L
CNTEN
L
A
18R (1)
CLK
R
,
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
REPEAT
R
ADS
R
CNTEN
R
TDI
TCK
TMS
TRST
CE
0 L
CE1L
R/
W
L
INTERRUPT
COLLISION
DETECTION
LOGIC
CE
0 R
CE1R
R/
W
R
JTAG
TDO
COL
L
INT
L
ZZ
L
(2)
COL
R
INT
R
ZZ
CONTROL
LOGIC
ZZ
R
(2)
5652 drw 01
NOTES:
1. Address A
18
is a NC for the IDT70T3319. Also, Addresses A
18
and A
17
are NC's for the IDT70T3399.
2. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. All static inputs, i.e., PL/FTx and
OPTx and the sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.
JULY 2008
DSC-5652/5
1
©2008 Integrated Device Technology, Inc.
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