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BFR96

产品描述UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小119KB,共5页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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BFR96概述

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

BFR96规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADPOW
包装说明DISK BUTTON, O-PRDB-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量3.2 pF
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-PRDB-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)5000 MHz

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
BFR96
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
BFR96G
* G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish
Features
High Current-Gain – Bandwidth Product, fT = 4.5 GHz (typ) @ IC = 50 mA
Low Noise Figure – NF = 2.4 dB (typ) @ f = 0.5 GHz
High Power Gain – Gmax = 14.5dB (typ) @ f = 0.5 GHz
Macro T
(STYLE #2)
DESCRIPTION:
Designed primarily for use in high-gain, low noise, small-signal amplifiers. Also used in
applications requiring fast switching times.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
15
20
3.0
100
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 100ºC
Derate above 100ºC
500
10
mWatts
mW/ ºC
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at
WWW.ADVANCEDPOWER.COM
or contact our factory direct.
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