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SF11_06

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小41KB,共4页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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SF11_06概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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WTE
POWER SEMICONDUCTORS
SF11 – SF17
Pb
1.0A SUPERFAST DIODE
Features
!
!
!
!
!
Diffused Junction
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Reliability
High Surge Current Capability
A
B
A
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
!
Case: DO-41, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: 0.34 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
D
DO-41
Dim
Min
Max
25.4
A
4.06
5.21
B
0.71
0.864
C
2.00
2.72
D
All Dimensions in mm
C
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@T
A
= 55°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
SF11
50
35
@T
A
=25°C unless otherwise specified
SF12
100
70
SF13
150
105
SF14
200
140
1.0
SF15
300
210
SF16
400
280
SF17
600
420
Unit
V
V
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction Capacitance (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
T
j
T
STG
50
0.95
30
1.3
5.0
100
35
30
-65 to +125
-65 to +150
1.7
A
V
µA
nS
pF
°C
°C
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case
2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. See figure 5.
3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
SF11 – SF17
1 of 4
© 2006 Won-Top Electronics
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