RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | RADIATION HARDENED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 60 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.22 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-CBCC-N3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| JANSR2N7486U3 | IRHNJ57230SE | |
|---|---|---|
| 描述 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 60 mJ | 60 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.22 Ω | 0.22 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-CBCC-N3 | R-CBCC-N3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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