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IRHNJ57230SE

产品描述RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小122KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRHNJ57230SE概述

RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

IRHNJ57230SE规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)60 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.22 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CBCC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRHNJ57230SE相似产品对比

IRHNJ57230SE JANSR2N7486U3
描述 RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
是否无铅 含铅 含铅
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 60 mJ 60 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 12 A 12 A
最大漏源导通电阻 0.22 Ω 0.22 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A 48 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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