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SFF1310Z: 产品描述40 AMPS 200 VOLTS 0.050 ヘ N-CHANNEL POWER MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小37KB，共2页; 制造商SSDI; 官网地址http://www.ssdi-power.com/

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SFF1310Z概述

40 AMPS 200 VOLTS 0.050 ヘ N-CHANNEL POWER MOSFET

SFF1310Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SSDI
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	GATE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	40 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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PRELIMINARY

SOLID STATE DEVICES, INC.

14830 Valley View Av. * La Mirada, Ca 90670

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

SFF1310M

SFF1310Z

40 AMPS

200 VOLTS

0.050

N-CHANNEL

POWER MOSFET

TO-3

DESIGNER'S DATA SHEET

FEATURES:

• Rugged construction with polysilicon gate

• Low RDS (on) and high transconductance

• Excellent high temperature stability

• Very fast switching speed

• Fast recovery and superior dv/dt performance

• Increased reverse energy capability

• Low input and transfer capacitance for easy paralleling

• Hermetically sealed package

• TX, TXV, and Space Level screening available

• Replaces: SMM40N20 Type

MAXIMUM RATINGS

CHARACTERISTIC

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Continuous Drain Current

Operating and Storage Temperature

Thermal Resistance, Junction to Case

Total Device Dissipation

@ TC = 25

@ TC = 55

SYMBOL

& T

stg

2JC

VALUE

200

±20

-55 to +150

0.5

250

190

UNIT

Volts

Amps

C/W

Watts

PACKAGE OUTLINE: TO-3

PIN OUT:

DRAIN:

SOURCE:

GATE:

PIN 1

PIN 2

PIN 3

NOTE:

All specifications are subject to change without notification.

SCDs for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: FT0004A

SFF1310Z相似产品对比

	SFF1310Z	SFF1310M
描述	40 AMPS 200 VOLTS 0.050 ヘ N-CHANNEL POWER MOSFET	40 AMPS 200 VOLTS 0.050 ヘ N-CHANNEL POWER MOSFET
厂商名称	SSDI	SSDI
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	GATE	GATE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	40 A	40 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-3	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1
端子数量	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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