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SFF1310M: 产品描述40 AMPS 200 VOLTS 0.050 ヘ N-CHANNEL POWER MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小37KB，共2页; 制造商SSDI; 官网地址http://www.ssdi-power.com/

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SFF1310M概述

40 AMPS 200 VOLTS 0.050 ヘ N-CHANNEL POWER MOSFET

SFF1310M规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SSDI
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	GATE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	40 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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PRELIMINARY

SOLID STATE DEVICES, INC.

14830 Valley View Av. * La Mirada, Ca 90670

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

SFF1310M

SFF1310Z

40 AMPS

200 VOLTS

0.050

N-CHANNEL

POWER MOSFET

TO-3

DESIGNER'S DATA SHEET

FEATURES:

• Rugged construction with polysilicon gate

• Low RDS (on) and high transconductance

• Excellent high temperature stability

• Very fast switching speed

• Fast recovery and superior dv/dt performance

• Increased reverse energy capability

• Low input and transfer capacitance for easy paralleling

• Hermetically sealed package

• TX, TXV, and Space Level screening available

• Replaces: SMM40N20 Type

MAXIMUM RATINGS

CHARACTERISTIC

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Continuous Drain Current

Operating and Storage Temperature

Thermal Resistance, Junction to Case

Total Device Dissipation

@ TC = 25

@ TC = 55

SYMBOL

& T

stg

2JC

VALUE

200

±20

-55 to +150

0.5

250

190

UNIT

Volts

Amps

C/W

Watts

PACKAGE OUTLINE: TO-3

PIN OUT:

DRAIN:

SOURCE:

GATE:

PIN 1

PIN 2

PIN 3

NOTE:

All specifications are subject to change without notification.

SCDs for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: FT0004A

SFF1310M相似产品对比

	SFF1310M	SFF1310Z
描述	40 AMPS 200 VOLTS 0.050 ヘ N-CHANNEL POWER MOSFET	40 AMPS 200 VOLTS 0.050 ヘ N-CHANNEL POWER MOSFET
厂商名称	SSDI	SSDI
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	GATE	GATE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	40 A	40 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-3	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1
端子数量	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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