70V15S15J,70V15S15J pdf中文资料,70V15S15J引脚图,70V15S15J电路-Datasheet-电子工程世界

70V15S15J: 产品描述Dual-Port SRAM, 8KX9, 15ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68; 产品类别存储存储; 文件大小282KB，共18页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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70V15S15J概述

Dual-Port SRAM, 8KX9, 15ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68

70V15S15J规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数	68
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	15 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J68
JESD-609代码	e0
长度	24.2062 mm
内存密度	73728 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	68
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC68,1.0SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm
最大待机电流	0.005 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.215 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	24.2062 mm
Base Number Matches	1

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描述	Dual-Port SRAM, 8KX9, 15ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68	Dual-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68	Dual-Port SRAM, 8KX9, 15ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68	Dual-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68	Dual-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68	Dual-Port SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68	Dual-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68	Dual-Port SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC
包装说明	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数	68	68	68	68	68	68	68	68
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	15 ns	20 ns	15 ns	20 ns	20 ns	25 ns	20 ns	25 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm
内存密度	73728 bit	73728 bit	73728 bit	73728 bit	73728 bit	73728 bit	73728 bit	73728 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	68	68	68	68	68	68	68	68
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8KX9	8KX9	8KX9	8KX9	8KX9	8KX9	8KX9	8KX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ
封装等效代码	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225	225	225
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm
最大待机电流	0.005 A	0.005 A	0.0025 A	0.005 A	0.015 A	0.005 A	0.0025 A	0.0025 A
最小待机电流	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大压摆率	0.215 mA	0.195 mA	0.185 mA	0.2 mA	0.225 mA	0.19 mA	0.175 mA	0.165 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-

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