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IRGSL6B60KD

产品描述13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小312KB,共15页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRGSL6B60KD概述

13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB

13 A, 600 V, N沟道 IGBT, TO-220AB

IRGSL6B60KD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-262
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)13 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)27 ns
门极发射器阈值电压最大值5.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-262
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)90 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)26 ns
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)258 ns
标称接通时间 (ton)45 ns
Base Number Matches1

IRGSL6B60KD相似产品对比

IRGSL6B60KD IRGB6B60KD IRGS6B60KD IRGS6B60KDTRLPBF IRGS6B60KDTRRPBF
描述 13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 TO-262 TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 13 A 13 A 13 A 13 A 13 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e3 e3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 258 ns 258 ns 258 ns 258 ns 258 ns
标称接通时间 (ton) 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns
Base Number Matches 1 1 1 1 1
最大降落时间(tf) 27 ns 27 ns 27 ns - -
门极发射器阈值电压最大值 5.5 V 5.5 V 5.5 V - -
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V - -
湿度敏感等级 1 - 1 1 1
最大功率耗散 (Abs) 90 W 90 W 90 W - -
最大上升时间(tr) 26 ns 26 ns 26 ns - -

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