82S185A/BYA概述

IC 2K X 4 OTPROM, 55 ns, CDFP18, CERAMIC, FP-18, Programmable ROM

82S185A/BYA规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	DFP
包装说明	DFP,
针数	18
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-CDFP-F18
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	18
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	BIPOLAR
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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82S185A/BYA相似产品对比

	82S185A/BYA	82S185/BYA	82S185B/BYA	82S185/BVA	82S185A/BVA	82S185B/BVA
描述	IC 2K X 4 OTPROM, 55 ns, CDFP18, CERAMIC, FP-18, Programmable ROM	IC 2K X 4 OTPROM, 115 ns, CDFP18, CERAMIC, FP-18, Programmable ROM	IC 2K X 4 OTPROM, 90 ns, CDFP18, CERAMIC, FP-18, Programmable ROM	IC 2K X 4 OTPROM, 115 ns, CDIP18, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-18, Programmable ROM	IC 2K X 4 OTPROM, 55 ns, CDIP18, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-18, Programmable ROM	IC 2K X 4 OTPROM, 90 ns, CDIP18, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-18, Programmable ROM
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	DFP	DFP	DFP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DFP,	DFP,	DFP,	DIP,	DIP,	DIP,
针数	18	18	18	18	18	18
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	55 ns	115 ns	90 ns	115 ns	55 ns	90 ns
JESD-30 代码	R-CDFP-F18	R-CDFP-F18	R-CDFP-F18	R-GDIP-T18	R-GDIP-T18	R-GDIP-T18
内存密度	8192 bit	8192 bit	8192 bit	8192 bit	8192 bit	8192 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	18	18	18	18	18	18
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	2KX4	2KX4	2KX4	2KX4	2KX4	2KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DFP	DFP	DFP	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	NO	NO	NO
技术	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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