IC 256K X 4 FAST PAGE DRAM, 80 ns, CQCC18, CERAMIC, LCC-18, Dynamic RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | QCCN, |
| 针数 | 18 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 80 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N18 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 18 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 256KX4 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | QUAD |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-9061704MYX | 5962-9061704MRX | |
|---|---|---|
| 描述 | IC 256K X 4 FAST PAGE DRAM, 80 ns, CQCC18, CERAMIC, LCC-18, Dynamic RAM | IC 256K X 4 FAST PAGE DRAM, 80 ns, CDIP20, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-20, Dynamic RAM |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | LCC | DIP |
| 包装说明 | QCCN, | DIP, |
| 针数 | 18 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 80 ns | 80 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N18 | R-CDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 18 | 20 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 256KX4 | 256KX4 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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