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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MBM29LV160TM90PBT
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MBM29LV160TM90PBT

产品描述FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM
产品类别存储    存储   
文件大小275KB，共57页
制造商SPANSION
官网地址http://www.spansion.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MBM29LV160TM90PBT概述

FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM

MBM29LV160TM90PBT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SPANSION
零件包装代码BGA
包装说明PLASTIC, FBGA-48
针数48
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间90 ns
备用内存宽度8
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度8 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,31
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-20 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）240
电源3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度6 mm

MBM29LV160TM90PBT相似产品对比

MBM29LV160TM90PBT MBM29LV160BM90TN MBM29LV160TM90 MBM29LV160TM90TN MBM29LV160BM90PBT
描述 FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 SPANSION SPANSION - SPANSION SPANSION
零件包装代码 BGA TSOP1 - TSOP1 BGA
包装说明 PLASTIC, FBGA-48 PLASTIC, TSOP1-48 - PLASTIC, TSOP1-48 TFBGA, BGA48,6X8,32
针数 48 48 - 48 48
Reach Compliance Code compli _compli - _compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
最长访问时间 90 ns 90 ns - 90 ns 90 ns
备用内存宽度 8 8 - 8 8
启动块 TOP BOTTOM - TOP BOTTOM
命令用户界面 YES YES - YES YES
通用闪存接口 YES YES - YES YES
数据轮询 YES YES - YES YES
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PDSO-G48 - R-PDSO-G48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0
长度 8 mm 18.4 mm - 18.4 mm 8 mm
内存密度 16777216 bi 16777216 bi - 16777216 bi 16777216 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH - FLASH FLASH
内存宽度 16 16 - 16 16
功能数量 1 1 - 1 1
部门数/规模 1,2,1,31 1,2,1,31 - 1,2,1,31 1,2,1,31
端子数量 48 48 - 48 48
字数 1048576 words 1048576 words - 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 - 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C
最低工作温度 -20 °C -20 °C - -20 °C -20 °C
组织 1MX16 1MX16 - 1MX16 1MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TSOP1 - TSOP1 TFBGA
封装等效代码 BGA48,6X8,32 TSSOP48,.8,20 - TSSOP48,.8,20 BGA48,6X8,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 240 240 - 240 240
电源 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V
编程电压 3 V 3 V - 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES - YES YES
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm
部门规模 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K - 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K
最大待机电流 0.000005 A 0.000005 A - 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 0.06 mA 0.06 mA - 0.06 mA 0.06 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V - 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES - YES YES
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 BALL GULL WING - GULL WING BALL
端子节距 0.8 mm 0.5 mm - 0.5 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM DUAL - DUAL BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 - 30 30
切换位 YES YES - YES YES
类型 NOR TYPE NOR TYPE - NOR TYPE NOR TYPE
宽度 6 mm 12 mm - 12 mm 6 mm

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