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MBM29LV160BM90TN

产品描述FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM
产品类别存储    存储   
文件大小275KB,共57页
制造商SPANSION
官网地址http://www.spansion.com/
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MBM29LV160BM90TN概述

FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM

MBM29LV160BM90TN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SPANSION
零件包装代码TSOP1
包装说明PLASTIC, TSOP1-48
针数48
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间90 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模1,2,1,31
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-20 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm

MBM29LV160BM90TN相似产品对比

MBM29LV160BM90TN MBM29LV160TM90 MBM29LV160TM90PBT MBM29LV160TM90TN MBM29LV160BM90PBT
描述 FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SPANSION - SPANSION SPANSION SPANSION
零件包装代码 TSOP1 - BGA TSOP1 BGA
包装说明 PLASTIC, TSOP1-48 - PLASTIC, FBGA-48 PLASTIC, TSOP1-48 TFBGA, BGA48,6X8,32
针数 48 - 48 48 48
Reach Compliance Code _compli - compli _compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 90 ns - 90 ns 90 ns 90 ns
备用内存宽度 8 - 8 8 8
启动块 BOTTOM - TOP TOP BOTTOM
命令用户界面 YES - YES YES YES
通用闪存接口 YES - YES YES YES
数据轮询 YES - YES YES YES
JESD-30 代码 R-PDSO-G48 - R-PBGA-B48 R-PDSO-G48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0
长度 18.4 mm - 8 mm 18.4 mm 8 mm
内存密度 16777216 bi - 16777216 bi 16777216 bi 16777216 bi
内存集成电路类型 FLASH - FLASH FLASH FLASH
内存宽度 16 - 16 16 16
功能数量 1 - 1 1 1
部门数/规模 1,2,1,31 - 1,2,1,31 1,2,1,31 1,2,1,31
端子数量 48 - 48 48 48
字数 1048576 words - 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 - 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
最低工作温度 -20 °C - -20 °C -20 °C -20 °C
组织 1MX16 - 1MX16 1MX16 1MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 - TFBGA TSOP1 TFBGA
封装等效代码 TSSOP48,.8,20 - BGA48,6X8,32 TSSOP48,.8,20 BGA48,6X8,32
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 - 240 240 240
电源 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
编程电压 3 V - 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES - YES YES YES
座面最大高度 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
部门规模 16K,8K,32K,64K - 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K
最大待机电流 0.000005 A - 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 0.06 mA - 0.06 mA 0.06 mA 0.06 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V - 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES - YES YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 GULL WING - BALL GULL WING BALL
端子节距 0.5 mm - 0.8 mm 0.5 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL - BOTTOM DUAL BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 30 30 30
切换位 YES - YES YES YES
类型 NOR TYPE - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 12 mm - 6 mm 12 mm 6 mm

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