Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 70V639S15BCG

文档预览

70V639S15BCG: 产品描述Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256; 产品类别存储存储; 文件大小201KB，共24页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

70V639S15BCG概述

Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256

70V639S15BCG规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA, BGA256,16X16,40
针数	256
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991
最长访问时间	15 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e1
长度	17 mm
内存密度	2359296 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	256
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA256,16X16,40
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.7 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	3.15 V
最大压摆率	0.44 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	17 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HIGH-SPEED 3.3V

128K x 18 ASYNCHRONOUS

DUAL-PORT STATIC RAM

Features

◆

IDT70V639S

LEAD FINISH (SnPb) ARE IN EOL PROCESS - LAST TIME BUY EXPIRES JUNE 15, 2018

◆

Functional Block Diagram

True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed access

– Commercial: 10/12/15ns (max.)

– Industrial: 12/15ns (max.)

Dual chip enables allow for depth expansion without

external logic

IDT70V639 easily expands data bus width to 36 bits or

more using the Master/Slave select when cascading more

than one device

M/S = V

for

BUSY

output flag on Master,

M/S = V

for

BUSY

input on Slave

Busy and Interrupt Flags

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

◆

Fully asynchronous operation from either port

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1

– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the

128-pin TQFP package.

LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for

core

LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)

power supply for I/Os and control signals on each port

Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack, 208-ball fine

pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Green parts available, see ordering information

Dout0-8_L

Dout9-17_L

Dout0-8_R

Dout9-17_R

128K x 18

MEMORY

ARRAY

I/O

- I/O

17L

Din_L

Din_R

I/O

- I/O

17R

16L

Address

Decoder

ADDR_L

ADDR_R

Address

Decoder

16R

R/W

BUSY

SEM

INT

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

R/W

BUSY

M/S

SEM

INT

TDI

TDO

JTAG

TMS

TCK

TRST

5621 drw 01

NOTES:

BUSY

is an input as a Slave (M/S=V

) and an output when it is a Master (M/S=V

BUSY

and

INT

are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).

JUNE 2018

DSC-5621/8

70V639S15BCG相似产品对比

	70V639S15BCG	70V639S15BCGI	70V639S15BCI8	70V639S15BCI	70V639S15PRFG	70V639S15PRFGI	70V639S10BFG	70V639S15BFGI	70V639S15BFG
描述	Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256	Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256	Application Specific SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256	Application Specific SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256	Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208	Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208	Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208
是否无铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	LBGA, BGA256,16X16,40	17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256	17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256	17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256	LFQFP, QFP128,.63X.87,20	LFQFP, QFP128,.63X.87,20	LFBGA, BGA208,17X17,32	LFBGA, BGA208,17X17,32	LFBGA, BGA208,17X17,32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns	10 ns	15 ns	15 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	S-PBGA-B208	S-PBGA-B208	S-PBGA-B208
JESD-609代码	e1	e1	e0	e0	e3	e3	e1	e1	e1
内存密度	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	256	256	256	256	128	128	208	208	208
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C	-
组织	128KX18	128KX18	128KX18	128KX18	128KX18	128KX18	128KX18	128KX18	128KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	BGA	BGA	LFQFP	LFQFP	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA256,16X16,40	BGA256,16X16,40	BGA256,16X16,40	BGA256,16X16,40	QFP128,.63X.87,20	QFP128,.63X.87,20	BGA208,17X17,32	BGA208,17X17,32	BGA208,17X17,32
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	225	225	260	260	260	260	260
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A
最小待机电流	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
最大压摆率	0.44 mA	0.49 mA	0.49 mA	0.49 mA	0.44 mA	0.49 mA	0.5 mA	0.49 mA	0.44 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	20	20	30	30	30	30	30
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1
零件包装代码	BGA	BGA	-	-	QFP	QFP	BGA	BGA	BGA
针数	256	256	-	-	128	128	208	208	208
ECCN代码	3A991	3A991.B.2.A	-	-	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991	3A991.B.2.A
长度	17 mm	17 mm	-	-	20 mm	20 mm	15 mm	15 mm	15 mm
座面最大高度	1.7 mm	1.7 mm	-	-	1.6 mm	1.6 mm	1.7 mm	1.7 mm	1.7 mm
宽度	17 mm	17 mm	-	-	14 mm	14 mm	15 mm	15 mm	15 mm

推荐资源

多制式双载波立体声解码器（TDA9873H）

采用时基电路的延迟灯电路（4）

吸尘器控制电路

LH5168—3“不要再抽烟了”语言集成电路

硬币正反面电路

MP3电路图2

MSP430G2553单片机IO口模块: 1，我们所用的MSP430G2553有两组IO口，P1和P2。 2，IO口的寄存器有：方向选择寄存器PxDIR，输出寄存器PxOUT，输入寄存器PxIN，IO口内部上拉或下拉电阻使能寄存器PxREN， IO口功能选择寄存器P ......; 灞波儿奔微控制器 MCU

XF-S3011: 请问有谁使用过XF-S3011语音芯片？有没有MCU为51系列芯片的相关C语言程序？让我参考一下。...; aeiou 嵌入式系统

理解输出电压纹波和噪声一：输出电压纹波来源和抑制: 作者： Yuan Tan 医疗设备、测试测量仪器等很多应用对电源的纹波和噪声极其敏感。理解输出电压纹波和噪声的产生机制以及测量技术是优化改进电路性能的基础。第一部分：输出电压纹波 ......; alan000345 模拟与混合信号

德州仪器最新高精度设计库助力简化模拟设计: 德州仪器 (TI) 宣布推出一款高精度模拟设计库，其提供完整的板级及系统级精确设计，不但可帮助工程师快速评估和定制系统，同时还可为其扩展模拟知识面。该 TI 高精度设计库包含参考、验证及认证 ......; wstt 模拟与混合信号

电压转换芯片的选择: 今天老师突然又给了任务，真。。。。。。因为处理器要控制几个光电开关，光电开关必须要接10V-30V的电源，而我板子上芯片又必须得有3.3V的供电。系统用开关电源供电，输入电压25V。小弟 ......; lonerzf DSP 与 ARM 处理器

基于NXP LPC1768平台的网络监控系统: 本次使用NXP宝马LPC1768作为实验平台，将宝马LPC1768作为WEB服务器，电脑通过IE浏览器访问LPC1768开发板，LPC11C14定时采集滑动变阻器值和DS18B20温度，通过CAN总线传送给1768开发板，如下图是 ......; wangbaobao NXP MCU

SIMATIC S7-1500 PLC左移指令（SHL）及样

TIA博途软件位移指令能将将累加器的内容逐位向左或者向右移动。移动的位数由N决定，向左移N位相当于累加器的内容乘以2N，向右移相当于累加器的内容处理2N。移位指令在逻辑控制中使用也很方便。 (1)左移指令(SHL) 当左移指令（SHL）的EN位为高电平“1”时，将执行移位指令，将IN端制定的内容送入累加器1低字中，并左移N端制定的位数，然后写入OUT端指令的目的地址中，左移指令（SHL）和参...[详细]
谣言四起、智驾热战，谁在风口浪尖？

智驾圈各有各的节奏。有人忙着推送新版本、低头搞研发，也有人忙着搞宣发，也有人埋头量产。怪就怪在，稍微低调点，就有可能成为谣言的起源。 8 月 19 号，元戎启行官方释放了一段视频，smart 机器人科技有限公司 CEO 陈大宇和元戎启行 CTO 曹通易两人试乘 smart 精灵 5，全程城区辅助驾驶挑战深圳出行高峰。视频中两人有说有笑，主动提到了前段时间网传双方解约的说法。结论就是，根本是...[详细]
电动汽车的养护问题该怎么解决

由于政策以及节能等原因，新能源汽车越来越受广大消费者的青睐。车子到手了，接下来少不了保养环节，但由于新能源车的动力结构与传统能源车不同，在保养方面也有所区别。今天就来和大家分享一下，关于电动车的电池养护知识。电动汽车主要针对“电池”和“电机”的维护。电动车在使用过程中，要留意汽车用电的情况，当指针从“H”降到“L”附近时，就意味着我们要为汽车充电了。一般情况下，电动车每天都需要充电，便于电...[详细]
智能座舱新“赛点”开局！巨头争夺下一风口话语权

全新一代座舱平台量产进程已经开启，智能座舱市场进入了技术迭代、平台升级的新红利周期。日前，上汽通用正式宣布，别克高端新能源子品牌“至境”首款智能豪华轿车——别克至境L7将搭载高通8775座舱芯片，预计今年下半年量产落地。另外最新消息显示，德赛西威第五代智能座舱G10PH已获得理想汽车新项目订单，并受到多家全球顶级主机厂的高度关注。资料显示，该平台可集成4-8B VLA大模型与云端高阶...[详细]
苹果印度扩张计划遇到新麻烦，富士康被曝在当地召回约 300 名中国工程师

8 月 25 日消息，苹果在印度的扩张遇到新麻烦。据彭博社报道，富士康科技集团已从印度召回约 300 名中国工程师，使苹果在当地的生产计划再度受阻。这些工程师来自富士康旗下裕展科技位于泰米尔纳德邦的工厂，这是数月以来第二次发生类似情况。裕展工厂主要生产旧款 iPhone 的金属外壳和显示模组，并未参与新一代 iPhone 17 的制造。该工厂才投产数月，而苹果的显示器依旧大量依赖进口。苹果...[详细]
基于8051内核的远程直流电源监控系统设计

1 Introduction In the mid-1960s, American scientist Maas conducted extensive experimental research on the charging process of open-cell batteries and proposed an acceptable charging curve for ...[详细]
STM32串口USART的使用方法和程序

通用同步异步收发器（USART）提供了一种灵活的方法来与使用工业标准NR 异步串行数据格式的外部设备之间进行全双工数据交换。 USART利用分数波特率发生器提供宽范围的波特率选择，支持同步单向通信和半双工单线通信。 1、STM32固件库使用外围设备的主要思路在STM32中，外围设备的配置思路比较固定。首先是使能相关的时钟，一方面是设备本身的时钟，另一方面如果设备通过IO口输出还需要使能IO口的...[详细]
解析数字电视机顶盒的关键技术

　　数字电视机顶盒由高频头、QAM解调器、TS流解复用器、MPEG一2解码器、PAUNTSC视频编码器、嵌人式CPU系统和外围接口、CA模块和上行数据调制器组成。工作原理如附图。　　数字电视机顶盒的工作过程大致如下：高频头接收来自有线网的高频信号，通过QAM解调器完成信道解码，从载波中分离出包含音、视频和其他数据信息的传送流门蜀。传送流中一般包含多个音、视频流及一些数据信息。解复用器则用...[详细]
电动汽车以什么样的充电方式才是最合适的

电动汽车续航里程越来越长，普及率越来越高。电动汽车充电有两种方式慢充和快充,哪一种方式最合适呢？慢充，就是采用交流220V或三相380V（普通家用照明电源或动力电源）使用输出功率为5kW左右的充电器给电动汽车充电。快充就是利用充电桩进行直流充电，插头接电动汽车的直流充电口进行充电，根据充电桩的功率可达30KW~60KW。电动汽车是以电动机动力行驶的汽车，而车载蓄电池是为电动机提供电能的核心...[详细]
人机界面和触摸屏的区别？

人机界面：指人操作PLC的一个平台，该平台提供了一个程序与人的接口，是人与计算机之间传递、交换信息的媒介和对话接口，是计算机系统的重要组成部分。它实现信息的内部形式与人类可以接受形式之间的转换。凡参与人机信息交流的领域都存在着人机界面。触摸屏是PLC人机界面的一种。人通过触摸屏幕上的按钮等就可以调整参数或监视参数。但人机界面不一定全部是触摸屏的,有的是在操作面板上安装了若干个按钮,人通过按钮来...[详细]
车规芯片掀 “中国速度”，ST未来三年将推70款车规MCU

“目前，针对EMB线控制动的专用芯片，我们成功推出第一版产品。第二代样品也已顺利成型，现阶段正积极规划第三代高度集成的解决方案，期望在实现成本优化的同时，进一步提升其安全性。”日前，意法半导体（ST）在上海扩建升级的新能源汽车创新中心正式向媒体开放的当日，ST中国区汽车电子&上海新能源汽车创新中心应用总监姜炯迪向盖世汽车透露道。而这，亦不过是ST面向中国新能源汽车创新的众多...[详细]
福特汽车申请车门防撞击系统专利

据外媒报道，福特汽车（Ford Motor）已向美国专利社保局（USPTO）申请一项车门防撞击系统专利，该系统可能应用于未来的福特汽车。该专利于2024年2月9日提交，并于2025年8月14日发布，序列号为0256665。图片来源：USPTO 福特最近提交了一些颇具意义的专利，其中许多旨在防止特定部件被盗，甚至防止车辆打滑。多年来，=许多人经常遇到的另一个问题是，停车场里有人打开车门...[详细]
1--STM32 ADC1与ADC2 16通道DMA采集笔记

最近在搞ADC，网上还是很多资源的，以下为参考链接： 1、对STM32 ADC单次转换模式连续转换模式扫描模式的理解： https://www.cnblogs.com/zhanghankui/p/5192324.html/ 2、STM32F103ADC的工作模式和触发方式的探索与理解： http://www.stmcu.org.cn/module/forum/thread-598744-1...[详细]
STM32-电源控制、低功耗模式

STM32的电源控制 STM32的电源框图 STM32的工作电压（VDD）为2.0～3.6V。通过内置的电压调节器提供所需的1.8V电源。当主电源VDD掉电后，通过VBAT脚为实时时钟(RTC)和备份寄存器提供电源。下面是STM32的电源框图：注意：框图中的VDDA和VSSA必须分别联到VDD和VSS。独立的A/D转换器供电和参考电压为了提高转换的精确度，ADC使用一个独立的...[详细]
【节能学院】智能马达保护器在有色冶金行业中的应用

前言低压电动机作为有色冶炼企业底层大量使用的设备，其异常运行不仅影响冶炼厂的正常生产，还会威胁到人的生命安全，因此为电动机设置合适而又全面的保护至关重要。智能电动机保护器集保护、遥测、通信、遥控、显示等功能于一体，是目前功能最全面的电动机保护设备，能最大限度保证设备运行的安全可靠性，从而实现智能化和高精度保护，同时还能对电动机的状态进行全面监控。电动机过载保护设备的发展 1.1热继电器 ...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多