IDT70V05S20GGI,IDT70V05S20GGI pdf中文资料,IDT70V05S20GGI引脚图,IDT70V05S20GGI电路-Datasheet-电子工程世界

IDT70V05S20GGI: 产品描述Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-68; 产品类别存储存储; 文件大小162KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT70V05S20GGI概述

Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-68

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	PGA
包装说明	PGA, PGA68,11X11
针数	68
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	20 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-CPGA-P68
JESD-609代码	e3
长度	29.464 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	68
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA
封装等效代码	PGA68,11X11
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.207 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	29.464 mm
Base Number Matches	1

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