1N649M概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7,

1N649M规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
包装说明	O-XALF-W2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-7
JESD-30 代码	O-XALF-W2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.4 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.6 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向恢复时间	0.2 µs
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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Central

Semiconductor Corp.

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

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1N649M相似产品对比

	1N649M	1N649LEADFREE	1N647LEADFREE	1N645N	H6496PTC808F120150	1N645	1N647	1N648
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7,	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 400V V(RRM), Silicon, DO-7	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7	PTC Thermistor, 0.8ohm, Through Hole Mount, RADIAL LEADED	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-7,	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 400V V(RRM), Silicon, DO-7	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 500V V(RRM), Silicon, DO-7
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	unknown	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	DISK PACKAGE	ROUND	ROUND	ROUND
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	RADIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
是否无铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅	-	含铅	含铅	含铅
包装说明	O-XALF-W2	O-XALF-W2	O-XALF-W2	O-XALF-W2	RADIAL LEADED	-	-	-
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-7	DO-7	DO-7	DO-7	-	DO-7	DO-7	DO-7
JESD-30 代码	O-XALF-W2	O-XALF-W2	O-XALF-W2	O-XALF-W2	-	O-XALF-W2	O-XALF-W2	O-XALF-W2
JESD-609代码	e0	e3	e3	e0	-	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	-	1	1	1
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	-	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	0.4 A	0.4 A	0.4 A	0.4 A	-	0.4 A	0.4 A	0.4 A
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	-	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.6 W	0.6 W	0.6 W	0.6 W	-	0.6 W	0.6 W	0.6 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V	600 V	400 V	225 V	-	225 V	400 V	500 V
最大反向恢复时间	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs	-	0.2 µs	0.2 µs	-
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	TIN LEAD	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	-	WIRE	WIRE	WIRE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	10	10	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
是否Rohs认证	-	符合	符合	-	-	不符合	不符合	不符合
厂商名称	-	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor

1N649M

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1N649M规格参数

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