Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT71V67603S150BG8

文档预览

IDT71V67603S150BG8: 产品描述Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小984KB，共23页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

下载文档详细参数选型对比全文预览

IDT71V67603S150BG8概述

Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

IDT71V67603S150BG8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.8 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	150 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.36 mm
最大待机电流	0.05 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.305 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

256K X 36, 512K X 18

3.3V Synchronous SRAMs

3.3V I/O, Burst Counter

Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

IDT71V67603

IDT71V67803

Features

256K x 36, 512K x 18 memory configurations

Supports high system speed:

– 166MHz 3.5ns clock access time

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

LBO

input selects interleaved or linear burst mode

Self-timed write cycle with global write control (GW byte

GW),

write enable (BWE and byte writes (BW

BWE),

BWx)

BWE

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

3.3V I/O supply (V

DDQ

)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array (fBGA).

Description

The IDT71V67603/7803 are high-speed SRAMs organized as

256K x 36/512K x 18. The IDT71V67603/7803 SRAMs contain write,

data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to

generate a self-timed write based upon a decision which can be left until

the end of the write cycle.

The burst mode feature offers the highest level of performance to the

system designer, as the IDT71V67603/7803 can provide four cycles of

data for a single address presented to the SRAM. An internal burst address

counter accepts the first cycle address from the processor, initiating the

access sequence. The first cycle of output data will be pipelined for one

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operation is selected (ADV=LOW), the subsequent three cycles of output

data will be available to the user on the next three rising clock edges. The

order of these three addresses are defined by the internal burst counter

and the

LBO

input pin.

The IDT71V67603/7803 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

CMOS process and are packaged in a JEDEC standard 14mm x 20mm 100-

pin thin plastic quad flatpack (TQFP), a 119 ball grid array (BGA) and a 165

fine pitch ball grid array (fBGA).

Pin Description Summary

-A

BWE

(1)

CLK

ADV

ADSC

ADSP

LBO

I/O

-I/O

, I/O

-I/O

, V

DDQ

Address Inputs

Chip Enable

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Input

I/O

Supply

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

5310 tbl 01

NOTE:

and

are not applicable for the IDT71V67802.

SEPTEMBER 2004

DSC-5310/06

IDT71V67603S150BG8相似产品对比

	IDT71V67603S150BG8	IDT71V67803S133PFGI8	IDT71V67803S166BG8	IDT71V67803S150BG8	IDT71V67803S133BG8	IDT71V67603S133BGI8	IDT71V67603S133PFG8	IDT71V67603S150BGI8	IDT71V67603S133BG8	IDT71V67803S133PFG8
描述	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	不符合	不符合	不符合	符合	不符合	不符合	符合
零件包装代码	BGA	QFP	BGA	BGA	BGA	BGA	QFP	BGA	BGA	QFP
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	LQFP, QFP100,.63X.87	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	LQFP, QFP100,.63X.87	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	119	100	119	119	119	119	100	119	119	100
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.8 ns	4.2 ns	3.5 ns	3.8 ns	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	3.8 ns	4.2 ns	4.2 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	150 MHz	133 MHz	166 MHz	150 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	150 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e3	e0	e0	e0	e0	e3	e0	e0	e3
长度	22 mm	20 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	20 mm	22 mm	22 mm	20 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	18	18	18	18	36	36	36	36	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	100	119	119	119	119	100	119	119	100
字数	262144 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	524288 words
字数代码	256000	512000	512000	512000	512000	256000	256000	256000	256000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX36	512KX18	512KX18	512KX18	512KX18	256KX36	256KX36	256KX36	256KX36	512KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	LQFP	BGA	BGA	BGA	BGA	LQFP	BGA	BGA	LQFP
封装等效代码	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	260	225	225	225	225	260	225	225	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.36 mm	1.6 mm	2.36 mm	2.36 mm	2.36 mm	2.36 mm	1.6 mm	2.36 mm	2.36 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.05 A	0.07 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.07 A	0.05 A	0.07 A	0.05 A	0.05 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.305 mA	0.28 mA	0.34 mA	0.305 mA	0.26 mA	0.28 mA	0.26 mA	0.325 mA	0.26 mA	0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	BALL	BALL	BALL	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	30	20	20	20	20	30	20	20	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-	-	-

推荐资源

有奖直播：TI 芯技术助力电机开发进行中！: 有奖直播：TI 芯技术助力电机开发进行中！ >>点击进入直播直播时间： 2022年9月9日（周五）上午10:00 直播主题： TI 芯技术助力电机开发直播介绍：本次 ......; EEWORLD社区 TI技术论坛

NAND闪存的写入限制与发展: 在过去的三年中，咨询公司以及一些业界机构一直都对NAND闪存能否在一段时间内持续处理大量写入操作持有怀疑态度，而这也就是我们一直所说的NAND写入的限制问题，而这些疑问最终则引起了人们对NA ......; wxycqp PCB设计

放大器和转换器模拟设计技巧 ——TI 专家Bonnie Baker: 《放大器和转换器模拟设计技巧》，主要针对模拟电路设计中会由放大器和转换器产生的问题，及其针对这些问题的设计技巧和解决方案做出了详细的说明，相信一定对工程师朋友们有很大帮助。《放大 ......; maylove 模拟与混合信号

请问STVD开发环境如何修改堆栈空间大小？: 如题...; baiyang8361 stm32/stm8

给Android制造补丁升级包: 本帖最后由 Wince.Android 于 2015-3-18 08:44 编辑是这样的，我的Android先前已经发布了一个Android20150312.tar.bz2的1.7G的包了，但是过了几天我改了一些东西升级成Android20150316.tar. ......; Wince.Android 嵌入式系统

秀一秀你焊过的最变态的电路板: 我先上一个，今天赋闲在家收拾零碎的时候发现的，大二的时候焊的，用8-3线编码器和二极管组成了一个16-4线编码器，加上四个独立按键，组成了一个20键的键盘。 91465 91466 91467 现在也搞不 ......; 柳叶舟 PCB设计

单片机main函数退出后发生什么——以stm32为例

网上搜索可能因为大家不太关心这种情况，我没有找到有关论述单片机main函数退出的文章。不过在ST Community、阿莫BBS、StackOverflow看到有人在问同样的问题，下面摘录了一些不同角度的回答： C语言环境角度，三种可能性编译器在main函数后加入隐性的无限循环编译器在main外面添加一层无限循环 CPU继续向下取址运行（也就是跑飞了）单片机设计角度，退出会引发异常、...[详细]
这可能是你没见过的！R型电梯变压器的神奇之处！

现在我们住的房子大部分都是电梯楼，主要原因是上下楼梯比较方便！它还能让生活更舒适。它甚至有助于提高房地产的附加值。最重要的是，别墅用的电梯不贵，一台几万元。有了这个装置，可以节省老人和孩子上下楼梯的时间，方便、安全、快捷。为了降低振动和噪声，使电梯环境质量达到相关标准的要求，目前许多电梯厂家。通常配电设备会选择使用r型电梯变压器来改变电压。在安全改变电压的同时，其多重保护功能也可以降低电梯的事故...[详细]
电动汽车没有发动机那它的报废标准是什么

在很早以前我国的汽车使用年限为15年，只要车辆达到15年，那么就需要强制报废了，不过后来政策改了，改成了只要汽车不超过60万公里，每年都能通过年检，那么就可以一直使用下去。但是我们都知道，汽车年检不通过的原因绝大多数都是因为尾气不合格导致的，那新能源电动汽车没有发动机，它的报废标准又是什么？与传统燃油车的报废标准一样吗？今天咱们就来聊一聊新能源汽车报废这个问题。其实，关于新能源汽车报废这一...[详细]
同功率的电动汽车与燃油车相比谁的表现更好

同功率的电动机与内燃机，其扭矩大小是接近的。动力强需要高扭矩的支持，扭矩大小决定了一辆车加速快慢，也就是俗说的劲头大小。但是有时候同功率的电动机其扭矩并不会比内燃机高。例如比亚迪秦pro采用的电动机功率为110kw、最大扭矩为250Nm，而比亚迪秦pro采用的1.5T发动机，其最大功率为113kw，最大扭矩240牛米，可以说同功率的电机发动机扭矩也是接近的。又如大众1.4T发动机，最大功率...[详细]
家电设计——安全至关重要！

　　我们正进入人类能以更低廉价格拥有更多电子产品的新时代。电子产品已经成为我们生活的必需品。举例来说，普通消费者现在都拥有冰箱、洗衣机、咖啡机等。将分离式IC带来的智能特性集成到电器中，能够改进用户体验，提供电子控制、触摸用户界面和高级显示等功能。这些特性非常有用，而安全性也是消费者关注的重点。没有人希望电器构成安全威胁。　　目前许多家用电器都采用微控制器，如果微控制器出现问题，就可能发生...[详细]
2025人形机器人和智能汽车协同发展分析报告

核心观点：汽车产业链与人形机器人产业具备硬件、软件、场景多方面协同优势，汽车产业链上下游企业从本体、传感器、执行器、材料多个环节赋能人形机器人，助力人形机器人迎来量产落地。汽车产业链与人形机器人产业具备协同优势汽车产业链与人形机器人产业具备硬件协同优势。传感器方面，智能汽车的多传感器融合在机器人领域实现技术复用；芯片方面，车规级智驾芯片的强算力与低功耗特性为机器人提供AI 算力支持；...[详细]
工信部推动制定首个电器电子产品有害物质管控强制性国家标准

8 月 22 日消息，据工信部官网消息，近日，我国电器电子产品有害物质管控领域首个强制性国家标准《电器电子产品有害物质限制使用要求》（GB 26572—2025）经国家标准化管理委员会批准发布，将于 2027 年 8 月 1 日正式实施。该标准由工业和信息化部提出并归口管理，中国电子技术标准化研究院联合电器电子行业生产制造企业、认证检测机构、行业协会及科研院所等 60 余家单位共同研制。从官方...[详细]
纯电动汽车的小电瓶老亏电的原因是什么

纯电动汽车在结构上面来说，有着动力电池等部件，但对于车来说除了动力电池以外还有个小电瓶，小电瓶对于电动汽车来说，给车辆的一些低压电器元件进行供电，甚至是需要为车辆在启动的过程当中提供启动能量，在使用的时候我们会发现，小电瓶蓄电池会存在亏电的现象？对于小电瓶的亏电来说怎么回事？如何避免呢？小电瓶老是亏电和我们的使用有关，一般来说纯电动汽车的小电瓶以12V的电瓶为主，而这样的电压需要为车辆的低...[详细]
电动汽车的快充技术会对电池组造成损伤吗

随着汽车电动化时代的到来，纯电动车型的保有量也已经越来越多了，但同时也有很多车主对于如何正确的保养纯电动车型并不是特别了解。而且在使用过程当中，有些车友还认为现在纯电动车型基本都实现了快充功能，频繁的使用快充是否会对电池的寿命造成影响呢？首先，我们需要先对纯电动车型的电池做一个了解。目前电动汽车所搭载的电池普遍都是锂电池和铅酸电池，不同的电池发电的机理有所不同，而且对于快充的敏感度也存在很...[详细]
电动汽车的轮胎真的是越大就越费电吗

轮胎对于汽车来说，是很重要的一个部件，关乎车辆的用车体验，我们在日常生活中和汽车几乎是分不开的对于轮胎来说，根据轮胎对于车辆在行车当中的作用来说，轮胎越大对于车辆的稳定性就越好，但是不足点就是车辆会导致车辆的对于车辆的在运转的过程当中加大轮胎与路面之间的阻力，而不管是纯电动汽车还是燃油车，都会有这种的影响，对于电动汽车来说，轮胎越大是费电的。首先从轮胎的结构上面来说，轮胎在结构上面，是由轮...[详细]
MCX E系列5V MCU发布：应对严苛环境，保障系统安全

MCX E系列是恩智浦丰富的MCX产品组合中最注重可靠性与安全性的系列。随着该系列的推出，恩智浦进一步丰富了其5V兼容的MCU产品线，为从3V到5V的设计提供一致的开发体验，帮助工程师在复杂环境中打造高可靠性的系统。随着边缘应用所处的环境日益严苛，对微控制器的韧性也提出了更高要求。MCX E系列应运而生，基于 Arm ® Cortex ® -M4F内核，专为在电气和热环境极端复杂的场景中...[详细]
超时事件时间戳

基于STM32F103 步骤： 1、定时器的1ms初始化 1 //1ms TIMER IRQ 2 void Drv_timeout_Init(void) 3 { 4 TIM_TimeBaseInitTypeDef TIM_TimeBaseStructure; 5 NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure; 6 RCC_APB1Per...[详细]
高频开关整流器用功率管是啥

自20世纪70年代开关电源实现“20 kHz”的革命之后的一段时间内，虽然在电路技术方面进行了改进和提高，但局限于当时半导体器件工业的发展水平，作为开关电源主要部件的大功率开关管的主要参数均满足不了更高频率、更大功率开关电源的设计要求。高频开关整流器用功率管是什么自20世纪80年代以来大功率、高反压的绝缘栅场效应功率管问世之后，伴随着开关电源专用集成控制电路的应用，已逐步将开关电源的工作...[详细]
直线模组中对联轴器有区分吗？

随着自动化设备的普及，作为自动化设备常用辅助设备的直线模组，也迎来了大好前景。特别是最近几年出现了很多小型设备厂家，在追求的生产效率和产品周转率的情况下，其机械设计生产模块化已经达到了整个产品设计的80%以上，以轻资产的模式运营和发展已经成为了众多新兴厂商的追求。直线模组的结构非常简单简单，而联轴器是其重要的配件，想必大家对联轴器也是非常熟悉的，主要用于丝杆加工端连接伺服电机，以此实现运动...[详细]
高精度电流传感器如何实现电压信号输出

随着科学技术的发展以及绿色节约循环发展方针的推进，精确控制，精准测量的需求越来越多。在电力行业，电流电压检测的技术要求越来越严格，精度要求越来越高，航智高精度电流传感器、电压传感器应运而生。航智传感器是基于磁通门技术的闭环传感器，具有高稳定度(温漂低、长期稳定性好)、高精度（可达10ppm）、高线性( 1ppm)等特点，可满足客户各种严苛需求，广泛应用于需要高精度测量电流电压的功率分析、高稳定电...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

随便看看