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RB481K_1

产品描述0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小189KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RB481K_1概述

0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

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RB481K
Diodes
Schottky barrier diode
RB481K
Applications
Low current rectification
External dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
0.7
0.15±0.05
0.6
Features
1) Ultra small mold type. (UMD4)
2) Low V
F
3) High reliability.
(3)
(2)
0.9MIN.
2.0±0.2
各リードとも
0.25±
0.1
Each lead has same dimension
0.05
同寸法
1.25±0.1
2.1±0.1
0½0.1
(4)
0.65
0.65
(1)
0.1Min
1.3
UMD4
1.3±0.1
0.7
0.9± 0.1
Construction
Silicon epitaxial planar
Structure
ROHM : UMD4
JEDEC : SOT-343
JEITA : SC-82
dot (year week factory)
1Pin Mark
Taping specification
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
0.3±0.1
1.75±0.1
3.5±0.05
2.45±0.1
2.4±0.1
8.0±0.2
5.5±0.2
2.2±0.1
4.0±0.1
φ1.1±0.1
0½0.5
2.4±0.1
1.15±0.1
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
RM
Reverse voltage (repetitive peak)
V
R
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current(*1)
Io
I
FSM
Forward current surge peak
(60Hz・1cyc)(*1)
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1) Rating of per diode
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
F
1
V
F
2
Forward voltage
V
F
3
V
F
4
Reverse current
I
R
Limits
30
30
200
1
125
-40 to +125
Unit
V
V
mA
A
Min.
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
0.28
0.33
0.43
0.50
30
Unit
V
V
V
V
µA
Conditions
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=200mA
V
R
=10V
Rev.C
1.6
0.05
1/3

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描述 0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE 0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
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