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RB481K

产品描述0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小189KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB481K概述

0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

RB481K规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-82
包装说明R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接CATHODE
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e2
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量2
端子数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB481K
Diodes
Schottky barrier diode
RB481K
Applications
Low current rectification
External dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
0.7
0.15±0.05
0.6
Features
1) Ultra small mold type. (UMD4)
2) Low V
F
3) High reliability.
(3)
(2)
0.9MIN.
2.0±0.2
各リードとも
0.25±
0.1
Each lead has same dimension
0.05
同寸法
1.25±0.1
2.1±0.1
0½0.1
(4)
0.65
0.65
(1)
0.1Min
1.3
UMD4
1.3±0.1
0.7
0.9± 0.1
Construction
Silicon epitaxial planar
Structure
ROHM : UMD4
JEDEC : SOT-343
JEITA : SC-82
dot (year week factory)
1Pin Mark
Taping specification
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
0.3±0.1
1.75±0.1
3.5±0.05
2.45±0.1
2.4±0.1
8.0±0.2
5.5±0.2
2.2±0.1
4.0±0.1
φ1.1±0.1
0½0.5
2.4±0.1
1.15±0.1
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
RM
Reverse voltage (repetitive peak)
V
R
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current(*1)
Io
I
FSM
Forward current surge peak
(60Hz・1cyc)(*1)
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1) Rating of per diode
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
F
1
V
F
2
Forward voltage
V
F
3
V
F
4
Reverse current
I
R
Limits
30
30
200
1
125
-40 to +125
Unit
V
V
mA
A
Min.
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
0.28
0.33
0.43
0.50
30
Unit
V
V
V
V
µA
Conditions
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=200mA
V
R
=10V
Rev.C
1.6
0.05
1/3

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