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RB160A30

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小104KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB160A30概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

RB160A30规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明O-XALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.48 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e1
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB160A30
Diodes
Schottky barrier diode
RB160A30
Applications
General rectification
Dimensions
(Unit : mm)
CATHODE BAND
φ0.6±0.1
Features
1) Cylindrical mold type. (MSR)
2) High I surge capability.
3) Low I
R
.
4) High ESD.
29±1
3.0±0.2
① ②
1
29±1
φ2.5±0.2
ROHM : MSR
Manufacture Date
Construction
Silicon epitaxial planar
Taping specifications
(Unit : mm)
BROWN
H2
A
BLUE
E
Symbol
Standard dimension
value(mm)
B
C
L1
H1
F
L2
D
T-31   52.4±1.5
+0.4
T-32
26.0 0
T-31   5.0±0.5
B
T-31
5.0±0.3
T-31
C
1.0 max.
T-32
T-31
D
0
T-32
T-31
1/2A±1.2
E
T-32
1/2A±0.4
T-31
±0.7
T-32
0.2 max.
T-31
H1
6.0±0.5
T-32
T-31
H2
5.0±0.5
T-32
T-31
1.5 max.
|L1-L2|
T-32
0.4 max.
*H1(6mm):BROWN
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current (*1)
Forward current surge peak
(t=100µs)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
30
30
1
70
150
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
(*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltagae
Reverse current
ESD break down voltage
Symbol
V
F
I
R
ESD
Min.
0.33
-
20
Typ.
0.43
9.00
-
Max.
0.48
50
-
Unit
V
µA
kV
Conditions
I
F
=1.0A
V
R
=30V
C=100pF,R=1.5kΩ, forward and reverse : 1 time
Rev.B
1/3

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描述 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

 
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