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AS9C25256M2018L-133TC

产品描述Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PQFP144, TQFP-144
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共30页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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AS9C25256M2018L-133TC概述

Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PQFP144, TQFP-144

AS9C25256M2018L-133TC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP,
针数144
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码S-PQFP-G144
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度4718592 bi
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量144
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)2.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度20 mm
Base Number Matches1

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