2N486513,2N486513 pdf中文资料,2N486513引脚图,2N486513电路-Datasheet-电子工程世界

2N486513: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共10页; 制造商General Diode Corp

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2N486513概述

Transistor

	2N486513	2N2984	2N486813	2N2983	2N5218	2N3896	2N5008	2N5006
描述	Transistor	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), NPN	Transistor	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), NPN	Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), NPN	Silicon Controlled Rectifier	Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), NPN	Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), NPN
厂商名称	General Diode Corp	General Diode Corp	General Diode Corp	General Diode Corp	General Diode Corp	General Diode Corp	General Diode Corp	General Diode Corp
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-
最大集电极电流 (IC)	-	3 A	-	3 A	10 A	-	10 A	10 A
配置	-	Single	-	Single	Single	-	Single	Single
最小直流电流增益 (hFE)	-	20	-	20	15	-	70	30
最高工作温度	-	175 °C	-	175 °C	175 °C	-	175 °C	175 °C
极性/信道类型	-	NPN	-	NPN	NPN	-	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	-	1 W	-	1 W	50 W	-	100 W	100 W
表面贴装	-	NO	-	NO	NO	-	NO	NO
标称过渡频率 (fT)	-	18 MHz	-	18 MHz	40 MHz	-	40 MHz	30 MHz

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波形发生器毕设求助: 要用单片机控制DA产生电压，再控制8038产生不同的频率，这部分不知道该怎么设计，有哪位做过给点意见！...; tyxjl 单片机

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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